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兆易NOR Flash获三星采用台业者:未受影响

大陆兆易创新序列式编码型快闪存储器(NOR Flash )成功打进三星 (Samsung)旗舰智能手机供应链.台湾厂商表示.目前NOR Flash市况依然稳定.并未受到影响.中国大陆厂商对市况的影响.是市场对今年NORFlash发展最关注...

半导体生产

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发布时间：2020-05-29

兆易创新NOR Flash新增产能明年启动牵动台厂神经

大陆NOR芯片供应龙头兆易创新.获当地晶圆代工一哥中芯国际力挺.全力抢进NOR Flash生产.中芯承诺每月提供兆易创新2.5万片产能.占全球NOR供应量近三成的规模.大举拓展大陆NOR Flash版图.中芯力挺兆易创新.大举...

半导体生产

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发布时间：2020-05-29

JLINK flash timeout.Reset the tatget and try it again解

如果在程序中打开了Flash读保护:FLASH_ReadOutProtection(ENABLE);再次用jlink下载程序时会出错:解决办法:运行J-link stm32 unlock后即可解决.关键字:JLINK flash timeout Reset...

单片机程序设计

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发布时间：2020-05-29

供不应求格局不变.第三季 NOR Flash 价格将继续上涨

电子网消息.集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)最新研究指出.受到智能手机 AMOLED 的新增需求.触控 IC 以及驱动 IC 整合单芯片带动的 NOR Flash 需求的影响.再加上全球 NOR Flash 的每月投片仅约 8.8 万片...

半导体生产

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FlaSh
NOR

发布时间：2020-05-29

FLASH地址线接线原理及设置小结

0.外部存储器有24位存储空间.重映射后定位于0x400000-0xFFBFFFFF之间.1.8位存储器地址A0-A23有效;16为存储器地址A1-A23有效2.NCS0所选的器件复位后被映射在地址0X00,复位后(NRST释放)系统有NCS0连接的存储器启动...

技术百科

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FlaSh
地址线

发布时间：2020-05-29

ARM的两种启动方式 (NAND FLASH. NOR FLASH)

为什么会有两种启动方式?这就是有两种FLASH 的不同特点决定的.NAND FLASH 容量大.存储的单位比特数据的成本要低很多.但是要按照特定的时序对NAND FLASH 进行读写.因此CPU 无法对NAND FLASH 的数据进行直接...

单片机程序设计

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发布时间：2020-05-29

乔布斯拒绝Flash真正原因:PC消亡与云计算

导语:国外媒体今天发表编辑查理·史乔斯(Charlie Stross)的文章.分析了[云计算"的趋势和苹果iPad不支持Flash的原因. 以下是文章全文: 新趋势的出现本周.科技界出现了几条有趣的新闻. 第一.苹果总...

半导体生产

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发布时间：2020-05-29

DRAM为什么将长期供不应求

DRAM严重供不应求.三星明年首季再涨价3%至5%之后.SK海力士下季也将涨价约5%.全球DRAM价格连续七季上扬.是历来涨势最久的一次.业界解读.三星.海力士下季涨价态度坚决.等于向全球宣告.韩系大厂决定维持DRAM...

技术百科

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发布时间：2020-05-29

基于AVR单片机中的EEPROM和FLASH的区别及使用方法解析

1.EEPROM介绍Electrically Erasable Programmable Read Only Memory电气可拭除可编程只读存储器发展过程:ROM – PROM – EPROM – EEPROM2.EEPROM和FLASH的区别2.1 使用上的区别FLASH用于存放程序.在程序运行...

单片机程序设计

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发布时间：2020-05-29

ARM NAND FLASH读写错误解决办法

在写文件系统的时候出现如下错误:NAND erase: device 0 whole chipSkipping bad block at 0x00254000Skipping bad block at 0x00258000Skipping bad block at 0x0025c000Skipping bad block at 0x00260000Skipp...

单片机程序设计

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发布时间：2020-05-28

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如何设计零EQ？请查收工程师必备的《DFM实用指南》

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S3C6410使用---10为SD卡与NAND FLASH的uboot加上menu菜单