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IR
IR宣称在功率器件技术上取得重大突破
国际整流器公司(IR)已经开始利用专有的基于氮化镓(GaN)的功率器件技术平台制造原型器件.这种器件经过5年的开发.据该公司称将在电源转换上推动重大突破. IR暗示.与现有一代硅基工艺相比.这种基于硅上氮化镓...
分离器件设计
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IR
功率电子
发布时间:2020-05-21
IR扩充60V StrongIRFET MOSFET系列
以标准和高性能功率封装为工业应用提供极低导通电阻. 全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier.简称IR) 扩充60V StrongIRFET功率MOSFET系列.采用多种标准和高性能功率封...
分离器件设计
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MOSFET
IR
StrongIRFET
发布时间:2020-05-21
IR推出双PQFN2x2 和双PQFN3.3x3.3功率MOSFETs
IR为低功率应用推出双PQFN2x2 和双PQFN3.3x3.3功率MOSFETs.扩展了PQFN封装系列全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司 (International Rectifier.简称IR) 扩展其PQFN封装系列.推出PQFN 2mm x 2mm和PQFN ...
分离器件设计
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MOSFET
IR
发布时间:2020-05-21
IR推出坚固的新系列40V至75V车用MOSFET
全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司 (International Rectifier.简称IR)近日推出新的车用MOSFET系列.适合要求低导通电阻的一系列应用.包括传统内燃机 (ICE) 平台以及微型和混合动力汽车平台上的重载...
分离器件设计
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MOSFET
IR
发布时间:2020-05-21
IR推出新系列 40V 至 200V 车用 MOSFET
全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司 (International Rectifier.简称IR) 近日推出车用 MOSFET 系列.可为一系列应用提供基准导通电阻 (Rds(on)) .包括电动助力转向系统 (EPS) .集成式起动发电机 (I...
分离器件设计
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MOSFET
IR
发布时间:2020-05-21
IR推出采用PQFN封装的低导通电阻MOSFET
国际整流器公司 (International Rectifier.简称IR) 推出一系列新型HEXFET 功率MOSFET.其中包括能够提供业界最低导通电阻 (RDS(on)) 的IRFH6200TRPbF. 这些新的功率MOSFET采用IR最先进的硅技术.是该公司首批采...
分离器件设计
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MOSFET
IR
IRFH6200TRPbF
PQFN封装
发布时间:2020-05-21
IR超小型PQFN2x2功率MOSFET为低功率应用扩展封装组合
全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司 (International Rectifier.简称IR) 扩展其封装系列.推出新款的 PQFN 2mm x 2mm封装.新的封装采用IR最新的HEXFET MOSFET硅技术.为一系列的低功耗应用.包括智能...
分离器件设计
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MOSFET
IR
发布时间:2020-05-21
60A额定电流器件 小尺寸大电流[IR]
全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier.简称IR) 推出集成式PowIRstage® 产品系列的第一个产品IR3550.比竞争对手的解决方案提供更高效率和更出色的热性能.该产品除了拥有最...
分离器件设计
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IR
电流器件
IR3550
PowIRstage
发布时间:2020-05-21
IR 7500万美元收购CHiL 扩大数字电源市场
国际整流器(IR)日前同意以7500万美元收购CHiL半导体. CHiL的数字电源管理平台可为IR补充负载电源及多相电源产品线.CHiL的管理平台包括计算机.图像处理.服务器以及游戏等多方面应用. CHiL采用独特的混合信...
电源硬件技术
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IR
CHiL
发布时间:2020-05-20
IR推出IRS2538DS控制IC电感镇流器替代方案
全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier.简称IR) 近日推出可靠.高效且符合成本效益的控制IC.适用于荧光灯内的电感镇流器. IRS2538DS效仿电感镇流器控制系统.采用IR的...
集成电路设计
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IR
控制ic
IC电感镇流器
发布时间:2020-05-19
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