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研发资源 > 标签 > MOSFET

Vishay拓宽其 SOT-227 封装电源模块产品线

日前.Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布.拓宽其SOT-227封装电源模块产品线.将有七款新器件采用ThunderFET® 功率MOSFET和标准.FRED Pt® 和沟槽式MOS势垒肖特基(TMBS®)二极管.Vishay 的...

分离器件设计

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发布时间：2020-06-29

东芝面向继电器驱动器推出小型双MOSFET

东芝电子元件及存储装置株式会社今日宣布推出一款新的MOSFET[SSM6N357R".该产品在漏极和栅极端子之间设计有内置二极管.该器件适用于驱动机械继电器等感性负载.批量发货即日启动.SSM6N357R集成有下拉电阻.串联电...

分离器件设计

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发布时间：2020-06-29

东芝推出新一代600V平面MOSFET系列

π-MOS IX系列600V平面MOSFET兼具高效率和低噪音优点东京-东芝电子元件及存储装置株式会社今日宣布推出一个新的600V平面MOSFET系列--[π-MOS IX".批量生产即日启动.π-MOS IX系列采用经优化的芯片设计.与现有的π-MOS...

分离器件设计

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发布时间：2020-06-29

ROHM全新600V耐压超级结 MOSFET[PrestoMOS".让设计更灵敏

半导体制造商ROHM(总部位于日本京都)推出600V耐压超级结 MOSFET[PrestoMOS"系列产品.在保持极快反向恢复时间(trr※1))的同时.提高设计灵活度.非常适用于空调.冰箱等白色家电的电机驱动以及EV充电桩.近日....

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MOSFET
Rohm

发布时间：2020-06-29

技术文章--MOSFET管的安全工作区

我们知道开关电源中MOSFET. IGBT是最核心也是最容易烧坏的器件.开关器件长期工作于高电压大电流状态.承受着很大的功耗.一但过压或过流就会导致功耗大增.晶圆结温急剧上升.如果散热不及时.就会导致器件损坏....

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MOSFET

发布时间：2020-06-29

飞兆业界最薄的CSP封装的P沟道MOSFET

飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)推出采用1 x 1.5 x 0.4mmWL-CSP封装的单一P沟道MOSFET器件FDZ391P.能满足便携应用对外型薄.电能和热效率高的需求.FDZ391P采用飞兆半导体的1.5V额定电压PowerTrench®工艺...

分离器件设计

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发布时间：2020-06-29

IR全新基准MOSFET提升60%封装电流额定值

国际整流器公司 (International Rectifier.简称IR)推出具备高封装电流额定值的全新沟道型HEXFET功率MOSFET系列.适用于工业用电池.电源.高功率DC马达及电动工具. 新组件的封装电流额定值达到195A.较典型...

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MOSFET
IR

发布时间：2020-06-29

探讨中国MOSFET本土企业面临的机遇与挑战

2007年消费电子.计算机领域中整机产量增速放缓导致市场对于MOSFET产品需求量增长率较2006年有所下降.2007年中国MOSFET市场需求量达到171.2亿个.比2007年增长19.5%. 从应用领域上看.凭借着MOSFET在消费类...

分离器件设计

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发布时间：2020-06-29

详细讲解MOSFET管驱动电路

在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候.大部分人都会考虑MOS的导通电阻.最大电压等.最大电流等.也有很多人仅仅考虑这些因素.这样的电路也许是可以工作的.但并不是优秀的.作为正式的产品设计也是不允...

分离器件设计

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发布时间：2020-06-29

研诺推出同类中阻抗最低的半桥MOSFET

研诺逻辑科技有限公司(AnalogicTech™).今日宣布为其不断扩展的MOSFET驱动器产品系列新增了一款高压产品.AAT4910支持电压高达28V, 其半桥双金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)驱动器可提供业界同类多相DC-DC转换器中...

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发布时间：2020-06-29

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那些提前布局的人，早已站在了新蓝海的潮头

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