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飞兆FDC5614P 60V P沟道逻辑电平功率沟槽MOS管

发布时间：2022-01-04

FDC5614P是60V P通道逻辑电平电源沟道MOSFET.这款60V的P沟道MOS采用飞兆半导体的高电压电源沟道工艺.它已经被优化为电源管理应用程序.应用8226;DC-DC转换器•负载开关•电源管理特征•–3 A.–60 V.rds(开)=0.105Ω@ ...<全部>

技术百科

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BSS138LT1G是一款表面安装50VN沟道功率MOSFET

发布时间：2021-12-23

BSS138LT1G是一款表面安装50VN沟道功率MOSFET,SOT-23封装的.具有低阈值电压,适用于低电压应用.适合应用包括DC-DC转换器,便携式与电池供电产品(如计算机,打印机,PCMCIA卡,蜂窝与无绳电话)的电源管理.BSS138采用SOT-23 ...<全部>

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功率
沟道

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IR推出基准工业级30V MOSFET

发布时间：2021-03-03

国际整流器公司 (International Rectifier.简称IR) 推出一系列获得工业认证的30V TO-220 HEXFET功率MOSFET.为不间断电源 (UPS) 逆变器.低压电动工具.ORing应用和网络通信及和服务器电源等应用提供非常低的栅 ...<全部>

电源应用

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飞兆业界最薄的CSP封装的P沟道MOSFET

发布时间：2020-06-29

飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)推出采用1 x 1.5 x 0.4mmWL-CSP封装的单一P沟道MOSFET器件FDZ391P.能满足便携应用对外型薄.电能和热效率高的需求.FDZ391P采用飞兆半导体的1.5V额定电压PowerTrench®工艺 ...<全部>

分离器件设计

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德州仪器推出NexFET™ N沟道功率MOSFET

发布时间：2020-05-23

采用5 mm x 6 mm QFN封装并集成超低导通电阻的25 V和30 V器件. 2015年1月22日.北京讯 ---日前.德州仪器 (TI) 推出其NexFET™ 产品线11款新型N沟道功率MOSFET.其中包括具有业界最低导通电阻并采用QFN 封装的25 ...<全部>

分离器件设计

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25

Vishay P沟道Gen III MOSFET具有业内最低导通电阻

发布时间：2020-05-21

-12V和-20V器件采用PowerPAK® ChipFET®和PowerPAK 1212-8S封装.3.0mm x 1.9mm x 3.3mm的占位体积宾夕法尼亚.MALVERN - 2013 年 11 月29 日 - 日前.Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布.推出 ...<全部>

分离器件设计

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日本产综研开发成功12nm超薄沟道双栅MOSFET

发布时间：2024-12-22

日经BP网日本产业综合研究所(产综研)开发出了厚度仅12nm.具有超薄沟道的双栅MOS FET.并于1月18日在由NEDO(日本新能源产业技术综合开发机构)主办的[2006年 ...<全部>

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沟道

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安森美半导体专门为中等电压开关应用的60V单N沟道MOSFET

发布时间：2024-12-22

安森美半导体(ON Semiconductor)推出8款新的MOSFET器件.专门为中等电压开关应用而设计.这些MOSFET非常适用于直流马达驱动.LED驱动器.电源.转换器.脉宽调制(PWM)控制和桥电路中.这些应用讲究二极管速度和换向 ...<全部>

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SiC元件[真命天子" 沟道MOSFET即将实用化

发布时间：2024-12-22

高品质的150mm口径SiC基板已经实现.我们将利用这种基板.在2015年投产[沟道型"SiCMOSFET`.在`CEATEC JAPAN 2013`上.电装展示了SiC的相关技术(图1).其中包括了两大`惊喜`.一是电装宣布SiC功率元件将在2015年实用 ...<全部>

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FDS6900AS双N沟道MOSFET

发布时间：2024-12-22

FDS6900AS设计用于替代同步DC:DC电源中的两个单通道SO-8 MOSFET和肖特基二极管.为笔记本电脑和其他电池供电电子器件提供各种外设电压. FDS6900AS包含两个独特的30V.N沟道.逻辑电平.PowerTrench MOSFET.旨在最 ...<全部>

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一颗引发行业变革的红外芯片

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