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英飞凌推出高性能200V和250V OptiMOS系列器件

英飞凌科技股份公司(FSE:IFX / OTCQX: IFNNY)近日宣布推出200V和250V OptiMOSTM系列器件.进一步扩大OptiMOSTM产品阵容.全新200V和250V器件适用于48V系统.DC/DC变换器.不间断电源(UPS)和直流电机驱动.凭借...

分离器件设计

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发布时间：2020-06-29

飞兆半导体MicroFET™ MOSFET满足便携设计需求

飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor) 为满足便携产品设计人员不断寻求效率更高.外形更小更薄的解决方案的需求.推出采用超紧凑.薄型(1.6mm x 1.6mm x 0.55mm)封装的高性能MicroFET MOSFET产品系列. 设...

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发布时间：2020-06-29

IR新款高性能PQFN功率MOSFET系列

全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier.简称IR) 推出一系列25 V及30 V器件.采用了IR最新的HEXFET MOSFET硅器件和新款高性能PQFN 3 x 3封装.为电信.网络通信和高端台式机...

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MOSFET

发布时间：2020-06-29

飞兆半导体推出 150V 低 RDS(ON) MOSFET

飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor) 宣布推出一款具有低RDS(ON) (最大值17mOhm)和优化品质因数(Figure of Merit; FOM) (最大值17m Ohm * 33nCº)的150V MOSFET器件FDMS86200.以满足DC-DC设计人员对具有较低开...

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发布时间：2020-06-29

MOSFET雪崩能量与器件热性能和工作状态相关性能

在功率MOSFET的数据表中.通常包括单脉冲雪崩能量EAS.雪崩电流IAR.重复脉冲雪崩能量EAR等参数.而许多电子工程师在设计电源系统的过程中.很少考虑到这些参数与电源系统的应用有什么样的联系.如何在实际的应用中...

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发布时间：2020-06-29

IR 拓展坚固可靠.系统可扩展的车用 DirectFET®2 功率 MOSFET 系列

国际整流器公司 (International Rectifier.简称IR) 宣布拓展了车用DirectFET®2功率MOSFET系列.该系列具有非常出色的功率密度.双面冷却功能以及最小寄生电感和电阻.适用于重负载应用.包括电动助力转向系统.电源...

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发布时间：2020-06-29

IR扩大包括逻辑电平栅极驱动器件在内的40V 至 100V 汽车专用 MOSFET 系列

国际整流器公司 (International Rectifier.简称IR) 宣布扩大了旗下包括逻辑电平器件系列在内的 40V 至 100V 汽车专用 MOSFET 组合.新系列 MOSFET 适合传统内燃机 (ICE) 平台以及微型混合动力和全混合动力平台上的...

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发布时间：2020-06-29

瑞萨电子推出新型功率半导体面积缩小一半

--新产品面向服务器和笔记本电脑等的电源功率MOSFET器件.实现了在单个封装内整合2个芯片高级半导体解决方案领导厂商瑞萨电子株式会社(TSE:6723.以下简称瑞萨电子)日前宣布推出2款功率半导体器件--RJK0222...

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发布时间：2020-06-29

估算热插拔MOSFET的瞬态温升

在本电源设计小贴士以及下次的小贴士中.我们将研究一种估算热插拔MOSFET温升的简单方法.热插拔电路用于将电容输入设备插入通电的电压总线时限制浪涌电流.这样做的目的是防止总线电压下降以及连接设备运行中断.通...

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发布时间：2020-06-29

2010年中国功率MOSFET领域将增长.但明年将放缓

据iSuppli公司.由于2010年销售增长50%以上.而且产量有限.英飞凌.意法半导体和飞兆半导体等主要供应商的某些功率MOSFET对中国市场实行配给.而且交货期拉长. 2010年中国功率MOSFET市场预计增长到24亿美元....

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发布时间：2020-06-29

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