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高速低端MOSFET驱动器FAN3XXX系列产品的特点与典型应用电路分析

高速低端MOSFET驱动器FAN3XXX系列产品的特点与典型应用电路分析-FAN3XXX系列是飞兆公司(FAIRCHILD)2007年10月推出的新产品.是一种高速低端MOSFET驱动器系列.该系列各种驱动器与PWM控制器及功率MOSFET组合可设计出各种高频.大功率开关电源.根据驱动器的通道数.输出电流大小.有不同的封装及型号.可满足各种开关电源的大小结构及不同输出功率的需要.如表1所示....

模拟电子

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发布时间：2021-11-15

Si整流器与SiC二极管的性能特点及应用比较

Si整流器与SiC二极管的性能特点及应用比较-肖特基二极管比PN结器件的行为特性更像一个理想的开关.肖特基二极管最重要的两个性能指标就是它的低反向恢复电荷(QRR)和它的恢复软化系数....

模拟电子

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发布时间：2021-11-15

东芝推出适用于高效率电源的新款1200V碳化硅MOSFET

东芝电子元件及存储装置株式会社([东芝")今日宣布.推出新款1200V碳化硅(SiC)MOSFET---[TW070J120B".该产品面向工业应用(包括大容量电源).并于今日开始出货....

电源

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发布时间：2021-11-13

东芝推出采用TOLL封装的650V超级结功率MOSFET.有助于提高大电流设备的效率

东芝电子元件及存储装置株式会社([东芝")今日宣布.在其TOLL(TO-无引线)封装的DTMOSVI系列中推出650V超级结功率MOSFET---TK065U65Z.TK090U65Z.TK110U65Z.TK155U65Z和TK190U65Z.今日开始批量出货....

电源

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发布时间：2021-11-09

开关模式电源电流检测检测电阻如何放置

电流检测电阻的位置连同开关稳压器架构决定了要检测的电流.检测的电流包括峰值电感电流.谷值电感电流(连续导通模式下电感电流的值)和平均输出电流.检测电阻的位置会影响功率损耗.噪声计算以及检测电阻监控电...

电源硬件技术

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发布时间：2021-10-26

Vishay推出600 V EF快速体二极管MOSFET 具备更低的FOM

日前.Vishay Intertechnology,Inc.宣布.推出最新第四代600 V EF系列快速体二极管MOSFET器件---SiHH070N60EF.Vishay Siliconix n沟道SiHH070N60EF导通电阻比其前代器件低29 %.为通信.工业.计算和企业级电源应用...

半导体生产

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MOSFET
Vishay

发布时间：2021-10-21

Nexperia全新半桥汽车MOSFET 可建减少60%寄生电感

关键半导体器件领域的专家Nexperia宣布推出一系列采用节省空间的LFPAK56D封装技术的半桥(高端和低端)汽车MOSFET.采用两个MOSFET的半桥配置是许多汽车应用(包括电机驱动器和DC/DC转换器)的标准构建模块.这种新...

半导体生产

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发布时间：2021-10-20

东芝650V超级结功率MOSFET问市提高大电流设备效率

东芝电子元件及存储装置株式会社([东芝")宣布.在其TOLL(TO-无引线)封装的DTMOSVI系列中推出650V超级结功率MOSFET---TK065U65Z.TK090U65Z.TK110U65Z.TK155U65Z和TK190U65Z.今日开始批量出货.TOLL是一种表面...

分离器件设计

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发布时间：2021-10-09

Vishay推出600 V EF系列快速体二极管MOSFET 为功率转换应用提供业界最低FOM指标

日前.Vishay Intertechnology, Inc.宣布.推出最新第四代600 V EF系列快速体二极管MOSFET 器件---SiHH070N60EF.Vishay Siliconix n沟道SiHH070N60EF导通电阻比其前代器件低29 %.为通信.工业.计算和企业级电源应用提供高效解决方案....

电源

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发布时间：2021-09-27

开关电源MOS有哪些损耗

开关电源MOS有哪些损耗-在器件设计选择过程中需要对 MOSFET 的工作过程损耗进行先期计算(所谓先期计算是指在没能够测试各工作波形的情况下.利用器件规格书提供的参数及工作电路的计算值和预计波形.套用公式进行理论上的近似计算)....

电源

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发布时间：2021-09-14

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