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SRAM
一种高可靠MCU系统监控方案
1 目前MCU系统监控中的问题对于单片机系统.一般都需要监控电路来提高系统的可靠性.包括用电压比较器对电源的监控和看门狗对程序的监控.为防止系统程序受干扰[飞掉".常用看门狗定时器.这种方式对于系统进入死循...
单片机程序设计
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系统监控
SRAM
单片机技术
97C51
发布时间:2020-06-06
详解s3c44b0 cpu 8K cache SRAM的初始化
关于s3c44b0的cpu内部8Kcache SRAM的初始化问题.主要是因为cpu_init()调用了icache_enable()函数.而该函数又调用了s3c44b0_flush_cache()而引发的问题 s3c44b0_flush_cache()函数就这么几行.代码如下:static vo...
单片机程序设计
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SRAM
初始化
S3C44B0
发布时间:2020-06-05
Atmel推出可穿戴集线器管理SAM G系列MCU
Atmel公司扩展了用于可穿戴设备和传感器集线器管理的超低功率SAM G ARM Cortex M4 MCU产品组合 新增SAM G54/G55系列具备业界最小外形.超低功率和最高性能.面向快速发展的物联网市场.为可穿戴设备和传感器集线器管...
单片机程序设计
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SRAM
集线器
发布时间:2020-06-04
Atmel推出面向工业物联网和可穿戴应用的CortexA5 MPU
高性能.超低功耗的Atmel | SMART ARM Cortex-A5 MPU系列.提供较低的系统总成本.高级安全特性.DDR3内存支持和超小型封装 Atmel公司(纳斯达克股票交易代码:ATML)今日推出全新的Atmel | SMART ARM® Cortex®-A5微...
单片机程序设计
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SRAM
Atmel
发布时间:2020-06-04
瑞萨开发出40nm高密度新型SRAM电路技术
瑞萨电子开发出了一种新型SRAM电路技术.可克服因微细化而增加的CMOS元件特性不均现象.还能在维持速度的同时.以更小的面积实现合适的工作裕度.以上内容是在半导体电路技术相关国际会议[2010 Symposium on VLSI Ci...
半导体生产
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soc
高密度
SRAM
瑞萨
40nm
发布时间:2020-06-03
东芝发布40nm工艺SoC用低电压SRAM技术
东芝在[2010 Symposium on VLSI Technology"(2010年6月15-17日.美国夏威夷州檀香山)上.发布了采用09年开始量产的40nm工艺SoC的低电压SRAM技术.该技术为主要用于便携产品及消费类产品的低功耗工艺技术.通过控...
半导体生产
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存储器
soc
DRAM
SRAM
40nm
NBTI
发布时间:2020-06-02
东芝开发出极低泄漏SRAM
东京-东芝公司(TOKYO:6502)2014年2月12日宣布.该公司已经开发出适用于低功耗微控制器备用RAM的极低泄漏65纳米静态随机存储器(XLL SRAM).它可以实现从深度休眠模式快速唤醒. 2月11日东芝在旧金山举行的20...
半导体生产
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东芝
SRAM
可穿戴
电池驱动
XLL
发布时间:2020-06-02
STM32F4的外部SRAM_原理部分
一.SRAM芯片:STM32F4直接与SRAM芯片连接.具体型号为:IS62WV51216引脚如下:除开基本的电源和地线.IS62WV51216的管脚大概可以这么来分类: 所以IS62WV51216的管脚总的来说大致分为:电源线.地线.地址线.数据...
单片机程序设计
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SRAM
STM
发布时间:2020-06-01
ARM S3C2410硬件手册上的重要部分
a.Memory Controllerb.Nand Flashc.UARTd.Interrupte.TimerMemory ControllerSDRAM:S3C2410 提供了外接ROM.SRAM.SDRAM.NOR Flash.NAND Flash的接口.S3C2410外接存储器的空间被分为8 BANKS.每BANK容量为128M:...
单片机程序设计
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SRAM
TCMP0
发布时间:2020-05-28
未来谁主沉浮:串行和并行接口SRAM对比
外置SRAM通常配有一个并行接口.考虑到大多数基于SRAM的应用的存储器要求.选择并行接口并不令人惊讶.对于已经(和仍在)使用SRAM的高性能(主要是缓存)应用而言.与串行接口相比.并行接口拥有明显优势.但这种情...
总线
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串行
SRAM
并行接口
发布时间:2020-05-27
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FlaSh
40nm
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