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贸泽开售Microchip AgileSwitch相臂功率模块兼具SiC MOSFET与二极管之长

专注于引入新品并提供海量库存的电子元器件分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起开始备货Microchip Technology的全新AgileSwitch®相臂SiC MOSFET模块....

电源

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发布时间：2021-05-27

第三代化合物半导体的黄金时代:SiC 25年创新史

在过去的 25 年时间里.Cree 取得了诸多成功.包括实现更大尺寸的 SiC 衬底并消除其微管.以及将 SiC 二极管.SiC MOSFET 和 GaN HEMT 推向市场.碳化硅 (SiC) 的历史可以追溯到很久以前.由于流星碰撞.撞击我们的...

材料技术

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SiC
Cree

发布时间：2021-05-19

扩大碳化硅供应.英飞凌联手GT Advanced Technologies

英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)与GT Advanced Technologies(GTAT)已经签署碳化硅(SiC)晶棒供货协议.合同预期五年.通过这份供货合同.英飞凌将进一步确保满足其在该领域不断增长的需求.碳化硅...

半导体生产

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英飞凌
SiC

发布时间：2021-05-13

意法半导体第二代SiC功率MOSFET实现更高转换效率

意法半导体(ST)推出了第二代SiC功率MosFET.具有单位面积极低的导通电阻(RDSon)和优良的开关性能.开关损耗在结温范围内几乎没有变化.ST提供广泛的第二代S MOSFET:额定击穿电压值从SCTxN65G2的650V到SCTxN120G...

模拟器件

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发布时间：2021-05-12

性能优于Si材料的SiC萧特基二极管

Microsemi新型SiC萧特基二极管提升功率转换效率.与硅(Si)材料相较.碳化硅(SiC)材料具有多项优势.包括较高的崩溃电场强度和更佳导热率.这些特性可让设计人员制作具有更好性能特性的组件.美高森美公司(Mic...

电源硬件技术

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发布时间：2021-05-11

GaN耐压600V产品亮相.SiC功率元件开发加快

进入2012年后.SiC功率元件的开发也在加快.最先行动的是罗姆..科锐及三菱电机则紧跟其后.GaN功率元件在2012年也有长足进步.已有耐压600V的GaN功率晶体管产品亮相.2013年相关行动将更为活跃.SiC及GaN等...

电源硬件技术

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发布时间：2021-05-10

和SiC相比.GaN都有什么优势?

从广泛的工业和消费电子产品到快速发展的电动汽车行业.无数的应用市场都在推动着对高效电源转换解决方案的巨大需求.为了满足相关电力系统的高质量.高性能要求.并且继续实现电力转换技术的重大革新.目前产业界正...

模拟器件

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发布时间：2021-05-08

UnitedSiC第四代750V SiC FET问市.加速逆变器革新

作为最成熟的WBG宽带隙半导体.SiC已发展成为可与硅技术匹敌的半导体技术.相比传统Si类器件.它有着开关损耗小.开关频率高和封装小等诸多优势.更适合应用于电动汽车.充电桩和电路保护等多种应用场景中.它们可为...

材料技术

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SiC
UnitedSiC

发布时间：2021-05-08

UnitedSiC新款SiC FET.拥有直接替代功能

从电池能量到车轮动力.新能源汽车EV具有约为59%-62%的转换效率.而且依然有提升的潜力.而我们的内燃机正在为努力达到21%的效率抓破了头.但至少有一个可能的路线能够提高电动汽车的性能.就是采用新型半导体开...

半导体生产

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SiC
UnitedSiC

发布时间：2021-04-27

CISSOID联手华中科技大学.共同释放SIC更多潜能

各行业所需高温半导体解决方案的领导者CISSOID日前宣布:公司已与华中科技大学电气与电子工程学院达成深度战略合作协议.双方将携手研发针对碳化硅(SiC)功率电子应用的全方位优化.匹配的电机和电控系统.以充分发...

材料技术

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SiC
CISSOID

发布时间：2021-04-25

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支持PCIe 6.0！国产时钟芯片的创新发展史

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