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UnitedSiC扩大肖特基二极管产品组合

 发布时间：2023-10-19
碳化硅(SiC)功率半导体的领先制造商美商联合碳化硅股份有限公司(UnitedSiC)宣布.将推出四种新型结势垒肖特基(JBS)二极管.以补充FET和JFET晶体管产品.新推出的UJ3D 1200V和1700V器件具有业界更佳的浪涌电流 ...<全部>
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UnitedSiC银烧结技术 可提高功率半导体导热系数

 发布时间：2021-10-12
虽然电子器件带来的功能似乎没有止境.但是数字和模拟器件的集成器件制造商(IDM)仍然不得不在所用材料的物理限制内设计解决方案.由于半导体发展大趋势和终端市场带来的需求.随着时间推移.管理产品的热密度变得 ...<全部>
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UnitedSiC第四代750V SiC FET问市.加速逆变器革新

 发布时间：2021-05-08
作为最成熟的WBG宽带隙半导体.SiC已发展成为可与硅技术匹敌的半导体技术.相比传统Si类器件.它有着开关损耗小.开关频率高和封装小等诸多优势.更适合应用于电动汽车.充电桩和电路保护等多种应用场景中.它们可为 ...<全部>
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UnitedSiC新款SiC FET.拥有直接替代功能

 发布时间：2021-04-27
从电池能量到车轮动力.新能源汽车EV具有约为59%-62%的转换效率.而且依然有提升的潜力.而我们的内燃机正在为努力达到21%的效率抓破了头.但至少有一个可能的路线能够提高电动汽车的性能.就是采用新型半导体开 ...<全部>
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UnitedSiC的新型UJ3C1200系列碳化硅为用户提供升级途径

 发布时间：2020-05-27
原标题:UnitedSiC的1200V碳化硅FET能够为IGBT.硅和碳化硅MOSFET用户提供业界最高性能的升级途径UJ3C1200系列是一种直接更换的解决方案.无需改变栅极驱动电压2018年5月24日.美国新泽西州普林斯顿 --- 功率因数校 ...<全部>
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UnitedSiC 650V产品系列又添新成员

 发布时间：2020-05-21
碳化硅(SiC)功率半导体制造商UnitedSiC/美商联合碳化硅股份有限公司 宣布.已经为UJ3C(通用型)和UF3C(硬开关型)系列650V SiC FET新增加了7种新的TO220-3L和D2PAK-3L器件/封装组合产品. 这些新器件能够提供新 ...<全部>
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碳化硅(SiC)FET如何推动电力电子技术的发展?

 发布时间：2024-12-23
碳化硅(SiC)JFET是基于结点的常开晶体管类型.在单位面积上提供最低的导通电阻RDS(on).并且是一种坚固的器件.与传统的MOSFET器件相比.JFET不太容易发生故障.并且适合于断路器件和限流应用.例如.如果用1mA ...<全部>
  • 132

更高效率.更低损耗.UnitedSiC新型SiC FET问市

 发布时间：2024-12-23
新型功率半导体企业美商联合碳化硅股份有限公司(UnitedSiC)推出了四种新型SiC FET.其RDS(ON)值可低至7mΩ.并可提供前所未有的性能和高效率.适用于电动汽车(EV)逆变器.高功率DC/DC转换器.大电流电池充电器 ...<全部>
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UnitedSiC第四代750V SiC FET可支持更高效的功率设计

 发布时间：2024-12-23
简介近年来.由于元件质量和性能方面的可靠技术进步.元件可用性以及性能改进带来的新兴应用.碳化硅的采用显著加速.UnitedSiC本着不断进行技术创新的策略.在650V-1200V范围内[1]打造了Rds(on)极低的功率元件.这 ...<全部>
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UnitedSiC联手益登科技.加速碳化硅技术普及速度

 发布时间：2024-12-23
碳化硅(SiC)功率半导体制造商UnitedSiC宣布与益登科技(TWSE: 3048)签署代理协议.益登科技是总部位于台湾的半导体产品主要分销商和解决方案供应商.益登科技将与UnitedSiC合作.助其将产品推向亚洲市场.为包括电动 ...<全部>
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