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射频器件的未来依赖谁

半导体原料共经历了三个发展阶段:第一阶段是以硅(Si).锗(Ge) 为代表的第一代半导体原料,第二阶段是以砷化镓(GaAs).磷化铟(InP ) 等化合物为代表,第三阶段是以氮化镓(GaN).碳化矽(SiC).硒化锌(ZnSe) 等宽频半导体原料为主....

RF射频

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射频
gan

发布时间：2022-07-01

GaN器件开路 5G将重塑RF产业

未来五年.通信产业向5G时代的革命性转变正在深刻重塑RF(射频)技术产业现状.这不仅是针对智能手机市场.还包括3W应用RF通信基础设施应用.并且.5G将为RF功率市场的化合物半导体技术带来重大市场机遇.下面就随模拟...

技术百科

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射频器件
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发布时间：2022-05-16

为什么GaN用于D类放大器独有优势

传统的音频放大技术是一个充满挑战的领域.发烧友们对于构成家庭音频最佳设置的要素有明显不同意见.对于那些坚持使用经典放大器拓扑架构的用户.他们的要求主要集中体现在准确的音频再现方面.而几乎不考虑...

技术百科

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D类放大器
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发布时间：2022-03-03

GaN晶体管在太空中将大有作为

翻译自--EEtimes氮化镓功率晶体管是功率和射频应用的理想选择.也可支持极端空间任务.通过全新的eGaN解决方案.EPC Space保证了辐射硬度性能和SEE(单事件效应)免疫力.该设备是专门为商业卫星空间的关键应用而设计...

材料技术

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gan
太空

发布时间：2022-02-12

行波管可休矣.高带宽.大功率RF功放是谁的天下?

半导体技术的进步使高功率宽带放大器功能突飞猛进.GaN革命席卷了整个行业.并且可以让MMIC在几十种带宽下生成1 W以上的功率.因此.这个过去由行波管主导的领域已经开始让步于半导体设备.本文将简要描述支...

RF技术

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发布时间：2022-02-09

第三代半导体让快充.电动车.5G飞速发展

半导体行业从诞生至今.先后经历了三代材料的变更历程.第三代半导体材料主要是以碳化硅(SiC).氮化镓(GaN).氧化锌(ZnO).金刚石.氮化铝(AlN)为代表的宽禁带(禁带宽度 Eg>2.3eV)的半导体材料.据了解....

材料技术

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发布时间：2021-12-27

RF半导体年复合增长率高达8.5%.爆发式增长GaN速度最快

RF 半导体市场规模将从 2020 年的 174 亿美元增长到 2025 年的 262 亿美元.复合年增长率(CAGR)为 8.5%....

RF射频

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发布时间：2021-12-17

GaN在射频中.究竟有多大市场?

据麦姆斯咨询介绍.近年来.GaN凭借高频下更高的功率输出和更小的占位面积.被射频行业大量应用.在电信基础设施和国防两大主要市场的推动下.预计到2024年RF GaN整体市场规模将增长至20亿美元. 过去十年.全球对电...

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发布时间：2021-11-24

浅析适用于射频微波等高频电路的半导体材料及工艺

本文来自与非网半导体材料是一类具有半导体性能(导电能力介于导体与绝缘体之间.电阻率约在 1mΩ·cm-1GΩ·cm 范围内).可用来制作半导体器件和集成电路的电子材料.按种类可以分为元素半导体和化合物半导体两大类.元...

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发布时间：2021-11-22

射频前端

今天.我们将带大家认识一下 5G 的射频技术.5G 愿景的真正实现.还需要更多创新.网络基站和用户设备(例如:手机)变得越来越纤薄和小巧.能耗也变得越来越低.为了适合小尺寸设备.许多射频应用所使用的印刷电路...

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发布时间：2021-11-16

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支持PCIe 6.0！国产时钟芯片的创新发展史

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