igbt-EDA365

研发资源 > 标签 > igbt

IGBT将成车用电子界的CPU 台系功率元件布局全面启动

车用绝缘闸双极电晶体(IGBT)已经成为国际IDM大厂三菱(Mitsubishi).英飞凌(Infineon)等积极投入的领域.厂商认为.未来油电混合.纯电动车时代.IGBT元件以及模组的重要性.将成为车用电子领域中.如同电脑中CPU的角...

半导体生产

|

cpu
igbt

发布时间：2020-05-26

隔离驱动IGBT等功率器件设计所需要的一些技巧

功率器件.如IGBT.Power MOSFET和Bipolar Power Transistor等等.都需要有充分的保护.以避免如欠压.缺失饱和.米勒效应.过载.短路等条件所造成的损害.本在线研讨会介绍了为何光耦栅极驱动器能被广泛的接受和使...

电路设计

|

功率器件
igbt

发布时间：2020-05-25

2017中国•株洲IGBT产业高峰论坛召开

红网株洲站5月8日讯(记者聂千川)7日上午.中国[芯"力量--2017中国•株洲IGBT产业高峰论坛在湖南省株洲市召开.该论坛是2017年全国企业家活动日暨中国企业家年会系列活动之一.来自中国企联领导.高精尖装备制造企业...

半导体生产

|

芯片
igbt

发布时间：2020-05-25

集成分流器的EconoDUAL™ 3 IGBT模块有助于降低系统成本

2018年2月24日.德国慕尼黑讯-英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)将EconoDUAL™ 3模块集成度提升到一个全新水平:通过集成分流电阻.在交流路径上进行电流监测.这些器件的应用有助于逆变器制造商降低成...

电路设计

|

发布时间：2020-05-25

英飞凌推出650V高性能IGBT TRENCHSTOP5

英飞凌展示可满足客户高要求的性能一流的IGBT--650V TRENCHSTOP52013年6月19日.上海讯--英飞凌科技股份有限公司 (FSE:IFX / OTCQX:IFNNY) 在上海PCIM Asia 2013 电力电子.智能运动.可再生能源管理展览会上突出展...

分离器件设计

|

发布时间：2020-05-23

英飞凌推出新型低饱和压降VCE(sat) IGBT

新型IGBT将工作在 50Hz 至 20kHz 下的总功耗成功降至最低水平. 德国慕尼黑 – 2015年2月6日 – 英飞凌科技股份公司(FSE:IFX/ OTCQX:IFNNY)近日推出新型低饱和压降VCE(sat) IGBT.此类IGBT 专门针对 50Hz 至20...

分离器件设计

|

发布时间：2020-05-23

英飞凌推出第三代高速 IGBT 打破开关和效率界限

英飞凌科技股份公司近日推出600 V和1200V高速3(第三代)IGBT产品系列.该系列经过优化.适用于高频和硬开关应用.在降低开关损耗.实现出类拔萃的效率方面.树立了行业新标杆.并可满足开关频率高达100 kHz的应用需...

分离器件设计

|

发布时间：2020-05-23

英飞凌推出适用于节能家电的600V RC IGBT驱动

英飞凌科技股份公司(FSE:IFX / OTCQX: IFNNY)近日推出适用于节能家用电器电机驱动装置的功率转换器件系列.全新的600V RC IGBT驱动系列(RC指逆向导通).可使变频电机设计更加经济高效.从而确保采用多个电机的...

分离器件设计

|

发布时间：2020-05-23

英飞凌新推出加固型TRENCHSTOP™ 5 S5 IGBT

英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)推出全新S5系列.进一步增强其IGBT的性能.全新推出的这个产品系列立足于超薄晶圆TRENCHSTOP™ 5 IGBT.专门针对开关频率高达40kHz的工业设备的交流-直流电力转换装置...

分离器件设计

|

发布时间：2020-05-23

新型IGBT软开关在应用中的损耗研究

IGBT技术进步主要体现在两个方面:通过采用和改进沟槽栅来优化垂直方向载流子浓度.以及利用[场终止"概念(也有称为[软穿通"或[轻穿通")降低晶圆n衬底的厚度. 此外.带有单片二极管的IGBT概念也经常被探讨.首...

分离器件设计

|

发布时间：2020-05-23

首页上一页 23 24 25 26 27 28 29 下一页尾页

第26届高交会元宇宙完美收官，数字化参会体验引爆全场

第26届高交会元宇宙完美收官，数字化参会体验引爆全场

|相关标签

|热门文章

中车株洲周清和代表：加强对大功率半导体产品支持力度

电机电能效率中的栅极驱动与电流信号隔离问题

安森美半导体的IGBT满足汽车、太阳能逆变器等各类应用需求

IGBT整流器功率因数控制方法及CT损坏对整流器的影响

飞兆半导体推出具有高可靠性和卓越开关性能IGBT