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随着台积电宣布全世界第一个 3 奈米制程的建厂计划落脚台湾南科之后，10 奈米以下个位数制程技术的竞争就正式进入白热化的阶段。台积电的对手三星 29 日也宣布，将开始导入 11 奈米的 FinFET，预计在 2018 年正式投产之外，也宣布将在新一代的 7 奈米制程上全面采用 EUV 极紫外线光刻设备。
根据三星表示，11 奈米 FinFET 制程技术「11LPP (Low Power Plus)」是现今 14 奈米和 10 奈米制程的融合，一方面采用 10 奈米制程 BEOL (后端制程)，可以大大缩小芯片面积。另一方面，也沿用 14 奈米 LPP 制程的部分元素。未来，三星的 11LPP 制程技术将填补 14 奈米与、10 奈米制程之间的空白，号称可在同等晶体管数量和功耗下，比 14LPP 制程技术提升 15% 的性能，或者降低 10% 的功耗。 另外，还可以使得晶体管的密度也有所提升。
至于，三星于 2016 年 10 月开始投产 10 奈米制程技术「10LPE (10nm Low Power Early)」。而目前已经完成研发，达到即将投产的下一代「10LPP (10nm Low Power Plus)」状态，主要将可协助生产更高规格的智能型手机芯片。而三星的 14 奈米制程技术部分，则将以主流、低功耗和紧致型的芯片生产为主。 目前，三星还在积极开发增加新一代的 14LPU、10LPU 制程版本。
另外，三星还表示，未来还一路准备了9奈米、8奈米、7奈米、6奈米、5奈米制程技术，其中 7 奈米的 7LPP 版本还将会全面加入 EUV 极紫外光刻设备制程，而且确认将在 2018 年下半年试产。不过，也另有报导表示，在那之前的 2018 年上半年，三星会首先在 8LPP 制程的特定制程上开始使用 EUV。
三星指出，2014 年以来，已经使用 EUV 技术处理了接近 20 万片晶圆，并取得了丰硕成果。比如 256Mb SRAM 的产品良率已经达到了 80%。而也因为三星有晶圆代工，DRAM，NAND Flash 的制造与生产能力，又在内存产品的市占率上独占鳌头。使得，三星具有雄厚的本钱可以使用 EUV 的设备。但是，这也使得其他竞争厂商产生庞大的成本压力。 因为，EUV 的价值不斐，要能够有效率的应用以增加收入，这对其他内存厂商来说是一件具备压力的事情。
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