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继 28 纳米 Poly/SiON 制程技术成功量产以来，联芯集成电路制造（厦门）有限公司再次取得了技术发展上的新里程碑。据悉，厦门联芯已于今年 2 月成功试产采用 28 纳米 High-K/Metal Gate 工艺制程的客户产品，试产良率高达 98%。
目前，联芯能同时提供 Poly/SiON 和 High-K/Metal Gate 工艺技术。
据介绍，联芯 28 纳米 High-K/Metal Gate 工艺制程采用了目前全球最先进的 Gate Last 制程技术，能大幅减少栅极的漏电量，提升晶体管的性能，可以应用于更多样化的各类电子产品。
对此技术突破，联芯首席执行官暨副董事长许志清表示非常开心，并期望未来进一步强化与客户合作，积极推动产品量产。
联芯集成电路制造项目位于福建省厦门市翔安区，本工程占地面积约 25.5 万平方米，总建筑面积约 36.8 万平方米。项目投资约 62 亿美元，分两个阶段实施，其中第一阶段建设全部厂房及构建筑物设施，并安装设备形 2.5 万片/月的生产能力；第二阶段在第一阶段基础上安装设备再形成 2.5 万片/月的生产能力。项目全部建成后形成 12 英寸、线宽 55-28nm 的集成电路芯片共 5 万片/月的生产能力。
可以说，联芯集成电路制造项目是海峡两岸合资建设的第一座 12 英寸晶圆厂，也是福建省目前投资金额最大的单体项目。联芯于 2016 年 11 月正式营运投产，目前公司正全力提速至满载产能。
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