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|相关技术

厦门联芯试产 28 纳米 HKMG 制程良率达 98%

发布时间：2022-05-05

随着 28 纳米 Poly/SiON 制程技术成功量产.再加上 2018 年 2 月成功试产客户采用 28 纳米 High-K/Metal Gate(HKMG)制程技术的产品.试产良率高达 98% 之后.厦门联芯在 28 纳米节点上的技术快速成熟.这相对于当前 ...<全部>

技术百科

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Gate-first还是Gate-last 业界争论高K技术

发布时间：2020-07-01

随着晶体管尺寸的不断缩小.HKMG(high-k绝缘层+金属栅极)技术几乎已经成为45nm以下级别制程的必备技术.不过在制作HKMG结构晶体管的工艺方面.业内却存在两大各自固执己见的不同阵营.分别是以IBM为代表的Gate-first ...<全部>

工艺设备

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SMIC和Synopsys交付28纳米HKMG低功耗参考流程

发布时间：2020-06-15

亮点: •在最新发布的IC Compiler II中.取得了多项技术进步.在所有关键指标方面给出了优异的质量结果:更好的性能.更小的面积和降低的功耗.••于SMIC 28纳米工艺中使用预验证Synopsys Lynx设计系统技术插件.加快 ...<全部>

技术百科

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半导体界HKMG攻防战:详解两大工艺流派之争

发布时间：2020-05-30

随着晶体管尺寸的不断缩小.HKMG(high-k绝缘层+金属栅极)技术几乎已经成为45nm以下级别制程的必备技术.不过在制作HKMG结构晶体管的工艺方面.业内却存在两大各自固执己见的不同阵营.分别是以IBM为代表的Gate-first ...<全部>

半导体生产

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再创新里程碑!厦门联芯 28 纳米 HKMG 试产良率达 98%

发布时间：2020-05-30

继 28 纳米 Poly/SiON 制程技术成功量产以来.联芯集成电路制造(厦门)有限公司再次取得了技术发展上的新里程碑.据悉.厦门联芯已于今年 2 月成功试产采用 28 纳米 High-K/Metal Gate 工艺制程的客户产品.试产良 ...<全部>

半导体生产

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三星宣布32nm HKMG制程已通过验证

发布时间：2020-05-28

三星电子公司宣布其位于京畿道器兴的300mm晶圆厂的S号产线已经具备了采用32nm LP(低功耗)Gate first HKMG制程生产SOC芯片的能力.这条产线将可用于代工生产客户设计的SOC芯片产品.三星这次启用的32nm LP(低功耗)Gat ...<全部>

半导体生产

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GLOBALFOUNDRIES和ARM发布尖端芯片制造平台

发布时间：2020-05-27

在近日举行的2010年世界移动通信大会上.GLOBALFOUNDRIES和ARM公司共同发布了其尖端片上系统平台技术的新的细节.该平台技术专门针对下一代无线产品和应用.全新的芯片制造平台预计能使计算性能提高40%.功耗降低30% ...<全部>

半导体生产

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GF德累斯顿工厂出货第25万枚32纳米HKMG晶圆

发布时间：2020-05-26

32纳米HKMG制程技术引领代工厂行业并突破了45纳米节点2012年3月22日.中国上海--GLOBALFOUNDRIES今日宣布.其在德国德累斯顿的Fab1工厂已经出货了超过25万个基于32纳米高K金属栅制程技术(HKMG)的半导体晶圆.这一 ...<全部>

半导体生产

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一颗引发行业变革的红外芯片

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