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三星电子公司宣布其位于京畿道器兴的300mm晶圆厂的S号产线已经具备了采用32nm LP(低功耗)Gate first HKMG制程生产SOC芯片的能力，这条产线将可用于代工生产客户设计的SOC芯片产品。三星这次启用的32nm LP(低功耗)Gate first HKMG制程是由IBM领导下的IBM联合开发技术联盟（IBM Joint Development Alliance）开发出来的。
三星目前已经采用这种32nm LP制程技术制造出了一种基于ARM 1176处理器核心的SOC芯片产品，这种产品比同频的45nm LP制程产品在动态功耗方面下降了30%，漏电功耗则下降了55%。
三星的EDA(电子设计自动化)合作伙伴包括新思科技（Synopsys），Cadence以及 Mentor公司三家。
据此前Digitimes网站的报道，三星公司计划于年底前将芯片的月产能由目前的2.7万片（按8英寸晶圆计算）提升到4万片，明年月产能则计划达到12.5万片，2012年则会进一步提升到20万片。
相比芯片代工之王台积电年产1000万片（按8英寸晶圆计算）的产能，三星还有很长的距离需要追赶。
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