针对 DRAM 厂明年获利分析，集邦科技(TRENDFORCE)旗下研究部门 DRAMeXchange 指出，明年 DRAM 均价较今年下跌约30%。然而随着制程转进、成本下降， DRAM 厂营业利益率(OP Margin)成本优势最佳者，今年营业利益率平均为36%，明年平均为26%；而成本优势落后者，今年下半年转亏为盈，明年营业利益率约可维持在10% 上下。

　　DRAMeXchange 表示，今年下半年 DRAM 产业制程加速4xnm转进，产出增加将带动价格下跌，然而价格下跌将刺激 DRAM 搭载量趋势往4GB以上，预估DRAM均价于今年第四季向下修正。此外，面对三星(Samsung)扩大资本支出，产能增加及技术转进，其它DRAM厂也积极强化其竞争力。

　　DRAMeXchange指出，策略规划与未来发展的方向分析方面，海力士(Hynix)将2010年资本支出调高近1/3达26亿美元，加速44nm制程及 NAND Flash 3xnm之技术转进。美光(Micron)阵营方面，在50nm转进同时加速42nm制程研发，预计于Q310开始投片量产。台湾厂商南科与华亚科计划二度调高资本支出，加速浸润式机台采购进度与美光同步42nm制程技转。

　　日本尔必达(Elpida)阵营则今年提升在广岛厂行动内存投片比重，将标准型 DRAM 生产重心移往台湾瑞晶；目前瑞晶已正式量产63nm制程，42nm制程预计七月正式投片。力晶则规划加强代工与 NAND Flash 的比例，未来朝标准型 DRAM 、代工业务与NAND Flash三大事业体多元化发展。

　　华邦则决定淡出标准型DRAM，业务发展优先级依次为NOR Flash、绘图内存、行动内存，同时在取得奇梦达46nm技术，自行再研发生产46nm。茂德则是出售新竹二厂，集中资源于中科厂，积极导入尔必达 63nm制程技术。

　　三星于5月中旬宣布今年内存事业群将投资金额由原先的5.5兆韩元(约48亿美元)，加码到9兆韩元(约78亿美元)，并将兴建20万片的12吋晶圆厂 Line 16、17，生产DRAM与NAND Flash，投片计划则视当时市场而定。

　　估计三星新厂房、无尘室兴建及设备移入时间约需一年，最快明年第三季可投片生产，产出则在明年第四季，今年下半年将扩充现有Line-15的产能并开始转进35纳米DDR3。该公司今年也将在System LSI业务方面投资约2兆韩元(17亿美元)，以因应手机与数字电视等产品对系统级芯片(SoC)的强劲需求，同时强化晶圆代工业务。

　　三星今年大幅提升其资本支出，使三星占整体DRAM产业资本支出比例由往年约25%大幅提升至41%，主要加重研发及厂房设备投资，全部台系 DRAM厂资本支出今年约占整体产业34%。今年第一季三星DRAM方面的营收约30亿美元，市占率达32%，在资本支出增加、产能扩充及技术转进下，预估三星DRAM营收市占率在今年下半年将突破35%，2011年将突破40%。