尔必达最新内存芯片可支持1866Mbps数据传输速率,并兼容低压1.35伏1600Mbps数据传输。和尔必达30纳米工艺相比,新工艺芯片每比特所需要的存储单元空间降低30%,每片晶圆上的芯片产能提升30%。
尔必达将在今年7月份进行芯片样品出货和量产,并计划在今年年底前量产25纳米工艺4Gb DDR3颗粒。
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