美国密苏里州罗拉– Brewer Science, Inc. 很荣幸宣布参加 2017 年的 SEMICON Taiwan。公司将与业界同仁交流台湾半导体制造趋势的见解，内容涵盖前端和后端的材料，以及次世代制造的流程步骤。

今日的消费性电子产品、网络、高效能运算 (HPC) 和汽车应用皆依赖封装为小型尺寸的半导体装置，其提供更多效能与功能，同时产热更少且操作时更省电。透过摩尔定律推动前端流程开发，领先的代工和整合组件制造商(IDM) 持续不断挑战装置大小的极限，从 7 纳米迈向 3纳米。同时，众所期待由外包半导体组装和测试 (OSAT) 公司开发的创新先进封装方法，提供了另一种实现这些需求的强大方法。

Brewer Science 明白产业需要透过先进节点逻辑和内存才能达到的高度运算能力，以及需要先进封装创新的异质整合功能。公司已投资开发专门材料和制程来支持这两者，包括针对扇出型封装 (FO) 和 3D IC 制程的健全暂时性贴合/剥离材料和制程的组合，到用于先进微影制程的 EUV 和 DSA 材料。

台湾的半导体制造产业致力于先进节点微影，以及先进晶圆级封装的高量制造 (HVM)。此外，这个地区拥有强大的显示器产业基础设施，因此具备执行面板级进阶封装制程的优势。

Brewer Science 总裁兼首席执行官 Terry Brewer 博士说道：「台湾的先进代工、研究机构和 OSAT 一向被视为半导体制造的领导者。我们致力于支持台湾从设备设计到高量制造的创新。透过先进的材料组和制程，解决前端硅和后端先进晶圆级封装架构中的供应链需求。」

后端趋势

有关晶圆和面板级的 FO 架构的讨论，两者皆主要着重于系统级封装和异质整合应用的封装领域。焦点在于已应用在生产上将近 9 年的芯片优先方法，以及目标为更先进架构的 RDL 优先方法。两者都必须在相同封装中容纳更多晶粒，但这会使得压力增加并造成晶圆弯曲。因此在整个制程中需要暂时性载体支持。此外，虽然尚未纳入制造中，OSAT 正在为 FO 面板级制程 (FO-PLP) 做准备。

采用这些方法引发了对雷射分离剥离方法的兴趣，该方法适用于 RDL 优先和 FO-PLP 的玻璃基板支持制程。Brewer Science 的最新一代剥离材料就是专为雷射分离而设计。

Brewer Science 副首席技术官 Jim Lamb 博士说道，「在台湾，我们正跟研究机构和 OSAT 密切合作，在 FO 的所有方法以及 2.5D 和 3D 整合架构中采用我们的晶圆级和面板级贴合材料。」

前端趋势

现在领先的制造技术为 10 纳米，尺寸在 10 纳米以内，而且在不久的将来也将实现极紫外线 (EUV) 微影制程。许多公司已致力于发展超越 3 纳米。

让材料自行形成微影图案的定向自组装技术 (DSA)，是辅助 EUV 的微影模式转变。DSA 最适合具有多重、重复、普通精细间距特征的装置，无需额外光罩即可达到 30 纳米特征尺寸。EUV 可用于在晶圆上绘制分辨率较低的特征，并制作后续 DSA 沉积的间隔物。

Lamb 表示，「虽然仍在发展阶段，不过 DSA 目标是在两年内准备好进行生产。结合 DSA 和 EUV 共同为 IDM 和代工提供相辅相成的优势，以提升其制造能力。台湾制造商正引领未来，努力不断地扩展融合 DSA 和 EUV 的技术。」