研究机构集邦科技(DRAMeXchange)针对NAND Flash产业发表最新研究报告指出，估计三星(Samsung)今年稳居全球市占率龙头，而海力士(Hynix)因为大幅减产，市占率恐将下滑至第五名。

      集邦科技指出，根据各NAND Flash供货商目前的制程技术、产能、营运状况分析，三星因为拥有较大产能和制程持续转往42nm及3xnm，预期今年市占率40%以上居冠，日本东芝(Toshiba)与美国SanDisk联盟的产能利用率略降，但制程技术也将转往43nm及32nm，预期东芝今年的市占率约在30%以上居次。

      集邦科技表示，市占率第三和第四名预期为美国的美光(Micron)和英特尔(Intel)，由于制程技术大量地转向34nm，预计这两家公司今年的市占率提升至10%以上，而去年市占率第三的海力士，则因为去年大幅减产8寸产能，且今年的制程技术仍以4xnm为主，因此估计市占率预期会在10%，排名下滑至第五名。

      由于去年NAND Flash面临供过于求，价格下滑的窘境，厂商纷纷宣布淘汰部份8寸产能，暂缓扩充12寸厂，或进行年度的岁修，集邦科技表示，目前各厂商均加速淘汰8寸厂产能，在12寸厂方面，三星暂无增产计划，预计东芝及SanDisk阵营也维持保守态度。

      英特尔和美光两家公司合资成立的IM Flash Technologies(IMFT)方面，集邦科技估计，今年维持12寸厂产能不变，制程技术升级可望使产出成长，IMFT在新加坡的12寸厂将延至2010年再决定是否运作，海力士今年只有少量12寸厂产能生产高容量MLC产品，因为近期财务资金较吃紧，目前还没有计划新增晶圆产能。

      再从营运方面分析，集邦科技表示，由于经济规模优势，三星的生产成本比同业更具竞争力，并规划增加更多电子系统厂的客户，以消化产能；东芝及SanDisk合资的总晶圆投片量略小于三星的水准，因此获利能力略低于三星。

      IMFT的合资晶圆投片量虽然在海力士减产后，今年可望成为第三大阵营，但集邦科技表示，IMFT规模经济还没赶上前两大业者，因此今年将加速进入34nm制程，来改善成本优势与获利，未来则以提高计算机系统厂商的应用为方向。

      海力士在生产高容量产品的成本上较不具竞争力，因此去年下半年已大幅减产8寸产能，以降低损失，由于产出量已经缩小，未来将会以寻求系统产品及利基市场的应用为主。[page]

NAND厂商排名预测

      在制程技术方面，集邦科技表示，三星目前以42nm和51nm为主要制程生产NAND Flash高容量产品，同时也计划今年第二季底前推出使用42nm制程的3bit/cell 32Gb的NAND Flash产品，第三季中开始采用3xnm制程生产32Gb MLC。

      理论上，3bit/cell MLC虽具有低成本的优点，但在读写速度和耐久性的表现上都不如2bit/cell，且3bit/cell的良率也可能不如2bit/cell。

      东芝及SanDisk阵营目前旗下两座12寸厂的产能多已进入43nm制程，并计划在今年第三季中开始采用32nm制程技术小量生产32Gb MLC，计划下半年使用32nm制程技术生产3bit/cell MLC产品。

      东芝初期会先以低价的记忆卡及UFD等应用市场为主，但SanDisk因为是3bit/cell & 4bit/cell技术的倡导者，且自身也以记忆卡及UFD销售为主，所以在这些产品的推广及应用比例上会比其它厂商积极。

      IMFT今年首季正式量产34nm制程技术生产32Gb MLC，暂时取得NAND Flash制程技术领先的地位，计划在2010上半年才会开始使用2xnm制程技术，生产更高容量6?Gb MLC的产品，以开发2xnm制程的2-bit/cell为优先考量，对3-bit/cell MLC则以研发为主。

      IM Flash也已将微影设备技术由4xnm级的浸润式微影设备世代,推进到3xnm级双重图形曝光技术的世代。

      海力士目前仅有一座12寸厂M11，今年第二季进入41nm制程小量试产32Gb MLC产品，等到41nm制程技术和良率稳定后，预计在下半年正式量产。海力士也计划采用48nm的制程技术先行试产3bit/cell MLC产品，然后逐渐转进到41nm制程。