三星拟扩产3D NAND,明年产能将拉高近4成-EDA365

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三星拟扩产3D NAND,明年产能将拉高近4成

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南韩经济日报(Korea Economic Daily)昨(15)日传出，三星电子(Samsung Electronics Co.)打算在明(2017)年底前扩充3D NAND型快闪记忆体产能、总共要斥资25兆韩圜，主要扩产的是位于中国西安的厂房、预定今年稍晚会于该厂新设一条3D NAND生产线，另外还将在南韩平泽市的厂房投入资本。

虽然根据韩国时报报导，三星电子已在15日稍早否认上述消息，宣称3D NAND的投资内容尚未敲定，但分析师似乎认为韩媒的报导内容相当可信。

barron`s.com 16日报导，J.P.摩根发表研究报告指出，三星应该会在今年底将3D NAND的月产能拉高至接近16万片晶圆(西安厂12万片、Line 16厂接近4万片)。三星的西安厂目前已接近产能全开，且该公司还计画把Line 16厂的部分2D NAND产能转换为3D。

另外，三星也将善用Line 17厂在二楼的空间，于明年投产3D NAND。依据上述假设，J.P.摩根估计三星明年底的3D NAND月产能将攀升至22万片(西安厂12万片、Line 16厂近6万片、Line 17厂近4万片)，等于是比今年底的月产能(16万片)扩充37.5%，并占业界总体产能的12%。

R.W. Baird分析师Tristan Gerra甫于5月31日发表研究报告指出，三星可能会在今年下半年把一大部分的DRAM产能转移到NAND型快闪记忆体，同时将18奈米制程产能初步拉高。

Gerra认为，下半年NAND的产业市况相当乐观，主要是拜iPhone 7的储存容量增加(该款智慧机应会增添256GB版本)、PC加速采纳固态硬碟(SSD)之赐。他说，这会让NAND定价在下半年稳定走扬。

TheStreet.com 5月20日报导，半导体设备业龙头厂商应用材料(Applied Materials Inc.)在财报电话会议上指出，投资活动逐渐从DRAM转到NAND型快闪记忆体，估计今年下半年DRAM的资本支出会年减至少25%，NAND则会年增35%。

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