氧化物半导体TFT专利授权给三星-EDA365

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氧化物半导体TFT专利授权给三星

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　　日本科学技术振兴机构（JST）2011年7月与韩国三星电子就使用氧化物半导体的“IGZO（In-Ga-Zn-O）TFT”技术专利签署了授权协议。该技术基于东京工业大学应用陶瓷研究所教授细野秀雄的研究小组1995年开始开发的“透明氧化物半导体（TAOS）”。

　　IGZO TFT是实现具有超高精细、高速驱动及柔性等特点的新一代显示器的核心技术之一，日本国内外的面板厂商正在进行激烈的开发竞争。这是因为IGZO TFT的载流子迁移率高达非晶硅型TFT的数十倍，而且很少产生制造偏差。另外，IGZO能够采用低温工艺，还可考虑在基本室温下于树脂基板上制作TFT。除了三星之外，最近夏普、日本半导体能源研究所（SEL）及东芝等也加入了实用化竞争。

　　此次向三星提供授权的专利技术基于细野在JST的支持下取得的研发成果。细野自己的专利以及JST拥有的专利广泛涉及材料成分、设备及制造工艺等，共有数十项。除了在JST的支持下获得的专利之外，东京工业大学与佳能共同取得的专利也有“10项左右”（细野）。此次将把这50多项专利打包提供给三星。

正是因为三星专利才得以实用化

　　此次的专利基于在日本政府资助下取得的研究成果，JST宣布向三星提供专利授权之后，引起了不同反响，其中不乏指责之声。细野对此作出了以下解释：①与三星签署的协议没有排他性，授权大门同样向日本国内企业敞开，②如果没有三星的话，辛苦开发出来的IGZO TFT就有可能无法实用化。

　　第②点尤其重要，细野就此高度评价了三星公司的研发能力与管理层的投资判断力。据说细野2004年在英国的学术杂志《自然》上发表IGZO TFT相关论文时，日本大型面板厂商的反应十分迟钝。“看到论文后立即与我们联系的企业是佳能、凸版印刷、韩国LG电子以及三星的研发部门——三星尖端技术研究所（SAIT）”（细野）。

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