一,FSMC简介

FSMC:灵活的静态存储控制器
能够与同步或异步存储器和16位PC存储器卡连接
STM32的FSMC接口支持包括SRAM、NAND FLASH、NOR FLASH和PSRAM等存储器
STM32 407和103是不支持SD RAM的,429,439支持SD RAM操作12345

二,FSMC驱动LCD原理

FSMC驱动外部SRAM(LCD被当做SRAM)

SRAM控制包含:
    地址线（如A0~A25）
    数据线（如D0~D15）
    写信号（WE，即WR）
    读信号（OE，即RD）
    片选信号（CS）
    若SRAM支持字节控制，还有UB/LB信号。12345678

上一节提到的TFTLCD信号,RS、D0~D15、WR、RD、CS、RST和BL等

其中真正操作LCD时用到的就只有：
    数据&命令:RS
    数据线:D0~D15
    写信号:WR
    读信号:RD
    片选信号:CS1234567

操作时序和SRAM控制类似，唯一不同是TFTLCD有RS信号，但是没有地址信号

TFTLCD通过RS信号来决定传送是数据还是命令，可以理解为一个地址信号 
将RS接到FSMC地址线A10(A0-A25随意),TFTLCD就被当做一个SRAM使用 
这样TFTLCD成为只有一个地址的SRAM设备,从而实现FSMC驱动TFTLCD

三,FSMC存储块

STM32的FSMC支持8/16/32位数据宽度，我们使用的LCD为16位，所以设置选择16位 
FSMC的外部设备地址映像:STM32的FSMC将外部存储器划分为固定大小为256M字节的四个存储块

如图:
    FSMC分为4块,每块256M字节又被划分为4*64,即四个片选
    NOR / PSRAM使用块1,共256M
    NAND闪存使用块2,3,共512M
    PC卡使用块4,共256M123456

所以我们使用NOR PSRAM驱动TFTLCD

四,存储块1(Bank1)寄存器介绍

STM32的FSMC存储块1（Bank1）用于驱动NOR FLASH/SRAM/PSRAM 
Bank1被分为4个区，每个区管理64M字节空间，每个区都有独立的寄存器对所连接的存储器进行配置。 
Bank1的256M字节空间由28根地址线（HADDR[27:0]）寻址。 这里HADDR，是内部AHB地址总线 
HADDR[25:0]来自外部存储器地址FSMC_A[25:0]，而HADDR[26:27]对4个区进行寻址。

如下图所示:

说明:
     HADDR[27:26]是不可手动配置的,当选择所在区后会自动赋值

注意:
     1,当Bank1接 8位宽度存储器时：HADDR[25:0] -> FSMC_A[25:0]
     2,当Bank1接16位宽度存储器时：HADDR[25:1] -> FSMC_A[24:0]

        由于内部每个地址对应一个字节,外部设备16位宽,FSMC的一个地址对应两个字节
        即:
             0000对应FSMC_A[0]=0   (2字节)
             0010对应FSMC_A[0]=1   (2字节)
             0100对应FSMC_A[1]=1   (2字节)

        所以对应关系需要除以2,内部右移一位对齐
        此时最低位没用,访问最低位需要使用UB/LB

     不论外部接8位/16位宽设备，FSMC_A[0]永远接在外部设备地址A[0]123456789101112131415161718

五,存储块1(Bank1)模式A读写时序

STM32的FSMC存储块1支持的异步突发访问模式 
包括模式1,模式A~D等多种时序模型，驱动SRAM一般使用模式1或模式A 
我们使用模式A驱动LCD(当做SRAM使用),模式A支持读写时序分开设置

上一篇说的LCD时序,我们知道,LCD的读写耗时是不同的.写快读慢 
这里采用模式A,针对不同的速度,做不同的设置

模式A读时序:

模式A写时序:

ILI9341时序-读写高低电平最小持续时间:

根据ILI9341时序读写高低电平最小持续时间来配置模式A的读写时序

六,FSMC相关寄存器介绍

对于NOR FLASH/PSRAM控制器-存储块1，可通过FSMC_BCRx、FSMC_BTRx和FSMC_BWTRx寄存器设置（其中x=1~4，对应4个区）。 
通过这3个寄存器，可以设置FSMC访问外部存储器的时序参数，拓宽了可选用的外部存储器的速度范围。

1,SRAM/NOR闪存片选控制寄存器（FSMC_BCRx）

EXTMOD：
     扩展模式使能位，控制是否允许读写不同的时序，需设置为1
WREN：
     写使能位。我们要向TFTLCD写数据，需设置为1
MWID[1:0]：
     存储器数据总线宽度。00，表示8位数据模式；01表示16位数据模式；10和11保留。
     我们的TFTLCD是16位数据线，需设置WMID[1:0]=01。
MTYP[1:0]：
     存储器类型。00表示SRAM、ROM；01表示PSRAM；10表示NOR FLASH;11保留。
     我们把LCD当成SRAM用，需设置MTYP[1:0]=00。
MBKEN：
     存储块使能位。需设置为112345678910111213

2,SRAM/NOR闪存片选时序寄存器（FSMC_BTRx）-读时序控制

ACCMOD[1:0]：
     访问模式。00:模式A；01:模式B；10:模式C；11:模式D。
     我们使用模式A,需设置为00
DATAST[7:0]：
     数据保持时间，等于: DATAST(+1)个HCLK时钟周期，DATAST最大为255。
     对于ILI9341相当于RD低电平持续时间,最大355ns
     对于STM32F1，一个HCLK=13.8ns (1/72M)，设置为15,相当于16个HCLK=220.8,加上STM32F1的FSMC性能较低一些,配置为15即可
     对于STM32F4，一个HCLK=6ns(1/168M) ，设置为60(360)。
ADDSET[3:0]：
     地址建立时间。表示：ADDSET+1个HCLK周期，ADDSET最大为15。
     对ILI9341来说，这里相当于RD高电平持续时间，为90ns。
     STM32F1的FSMC性能较低,即便设置为0,RD也有190ns高电平,所以设置为1
     STM32F1设置为15



注意:
     如果未设置EXTMOD位,则读写共用FSMC_BTRx时序寄存器12345678910111213141516171819

3,SRAM/NOR闪存写时序寄存器（FSMC_BWTRx）-写时序控制

ACCMOD[1:0]：
     访问模式。00:模式A；01:模式B；10:模式C；11:模式D。
DATAST[7:0]：
     数据保持时间，等于: DATAST(+1)个HCLK时钟周期，DATAST最大为255。
     对ILI9341来说，其实就是WR低电平持续时间，为15ns，不过ILI9320等则需要50ns。
     考虑兼容性，对STM32F1一个HCLK=13.8ns (1/72M)，设置为3(4*13.8=55.2)；
     对STM32F4，一个HCLK=6ns(1/168M) ，设置为9(9*6=54)。
ADDSET[3:0]：
     地址建立时间。表示：ADDSET+1个HCLK周期，ADDSET最大值为1111 = 15。
     对ILI9341来说，这里相当于WR高电平持续时间，为15ns。
     考虑兼容ILI9320，STM32F1即便设置为1,WR也有100ns高电平，所以设置为1。
     而对STM32F4，则设置为8(9*6=54)12345678910111213

七,寄存器组合说明

ST官方库寄存器定义中并没有FSMC_BCRx、FSMC_BTRx、FSMC_BWTRx等单独寄存器 
而是将他们进行了一些组合。规律如下：

FSMC_BCRx和FSMC_BTRx，组合成BTCR[8]寄存器组，他们的对应关系如下：

BTCR[0]对应FSMC_BCR1，BTCR[1]对应FSMC_BTR1
BTCR[2]对应FSMC_BCR2，BTCR[3]对应FSMC_BTR2
BTCR[4]对应FSMC_BCR3，BTCR[5]对应FSMC_BTR3
BTCR[6]对应FSMC_BCR4，BTCR[7]对应FSMC_BTR412345

FSMC_BWTRx则组合成BWTR[7]，他们的对应关系如下：

BWTR[0]对应FSMC_BWTR1，
BWTR[2]对应FSMC_BWTR2，
BWTR[4]对应FSMC_BWTR3，
BWTR[6]对应FSMC_BWTR4，
BWTR[1]、BWTR[3]和BWTR[5]保留