重点
● 用于 GF 12LP+解决方案的 DesignWare IP 核产品组合包括 USB4、PCIe 5.0、Die-to-Die HBI 以及 112G USR/XSR、112G Ethernet、DDR5、LPDDR5、MIPI、OTP NVM 等

● 新思科技与 GF 的长期合作，成功实现了 DesignWare IP 核从 180nm 到 12nm 的开发，并可应用于广泛领域

新思科技（Synopsys）近日宣布与 GLOBALFOUNDRIES®（GF®）开展合作，开发用于 GF 12LP+ FinFET 解决方案的广泛 DesignWare® IP 核产品组合，该 IP 核产品组合包括 USB4/3.2/DPTX/3.0/2.0、PCIe 5.0/4.0/2.1、Die-to-Die HBI、112G USR/XSR、112G Ethernet、DDR5/4、LPDDR5/4/4X、MIPI M-PHY 以及模拟到数字转换器和一次性可编程（OTP）非易失性存储器（NVM）IP 核。经优化的 DesignWare IP 核可满足 GF 12LP+解决方案中云计算和 AI 芯片对高带宽内存吞吐量和高性能连接的需求。此次合作是两家公司长期成功合作中的又一重要里程碑。

作为 GF 最先进的 FinFET 解决方案，12LP+以 GF 成熟的 14nm/12LP 平台为基础。该平台现已成功出货超过一百万片晶圆。相较于 12LP，12LP+的性能得到了提升：SoC 水平逻辑性能提高了 20%并且逻辑晶片尺寸方面改进了 10%。

“我们的 12LP+解决方案经专门设计，集性能、功率和面积的出色表现于一体，可满足高性能计算、云计算和边缘 AI 加速器、存储的特定需求。通过与领先的 IP 核提供商新思科技合作，共同开发可用于 GF12LP +解决方案的一系列高质量 DesignWare IP 核，为我们的共同客户提供更大的差异化优势和更高的价值，同时在最大程度上降低他们的开发成本并加快产品上市时间。借助 Die-to-Die IP 核，我们可以为那些转向小芯片架构并寻求更低产品成本和更高配置灵活性的客户提供支持。”

“作为值得信赖的 IP 核提供商，新思科技将继续加强与 GF 这样的重要晶片代工厂合作，以提供融合最新工艺技术的高品质 DesignWare IP 核，让开发者可以获益于性能、功率和尺寸方面的改进。数十年来，我们与 GF 开展长期合作，为开发者提供了包括 12LP+解决方案在内的基于 GF 技术的业内最广泛 IP 核组合，协助其集成包括快速增长的高性能计算、云计算和边缘 AI 加速器以及存储等应用市场所需的最新一代 IP 核。”