极紫外光（EUV）微影技术将于2015年突破量产瓶颈。传统浸润式微影技术在半导体制程迈入1x纳米节点后将面临物理极限，遂使EUV成为产业明日之星。设备供应商艾司摩尔（ASML）已协同比利时微电子研究中心（IMEC）和重量级晶圆厂，合力改良EUV光源功率与晶圆产出速度，预计2015年可发布首款量产型EUV机台。

　　ASML亚太区技术行销协理郑国伟表示，ASML于2012年下旬购併微影设备光源供应商--Cymer后，近半年在EUV技术研发方面已有重大突破。特别在光源功率表现上，已从去年30瓦（W）大幅提升至目前的55瓦，预估今年底设定功率达80瓦、每小时晶圆产出速度（wph）58片的目标也可顺利达阵，并将出货五部EUV研发型设备--NXE 3300予客户。

　　与此同时，ASML亦紧锣密鼓推动EUV量产型机台设计，目前正与英特尔（Intel）、台积电、三星（Samsung）和IMEC紧密合作，将共同投入大量研发资源并贡献各自的硅智财（IP），进一步提升EUV光源功率并改良光学机构设计，使晶圆产出速度和经济效益符合业界要求。郑国伟强调，ASML最快在2015年中就能发布EUV量产型机台，使光源功率突破250瓦，且晶圆产出速度臻至125wph，从而协助晶圆厂加速布建10纳米鳍式电晶体（FinFET）产线。

　　事实上，ASML已和晶圆厂客户达成共识，认为只要将EUV光源功率提升至100～125瓦，实现70wph的水準，整体生产成本就能赶上多重浸润式曝光，逐渐在16/14纳米FinFET制程崭露头角。至于2015～2016年，EUV具备125wph的产出能力，更将成为晶圆厂发展10纳米FinFET不可或缺的制程设备，跃居微影技术主流地位。

　　据悉，进入20纳米世代，电晶体线宽（指晶圆布线之间的距离）将微缩至30纳米以下，已超越目前主流浸润式微影方案的解析度极限（约为3x纳米），因此，包括台积电、格罗方德（GLOBALFOUNDRIES）等正在投资建置20纳米产线的晶圆厂，皆已相继导入双重曝光（Double-patterning）技术，在同一片晶圆面积上进行两次微影制程，以实现更高密度的晶片电路布局（Layout）。

　　不过，郑国伟分析，一旦採用双重甚至三重曝光，增加晶圆制作流程的循环时间（Cycle Time），不仅生产成本倍增，良率也会随之下降，势将延宕先进制程开发速度，并重重打击晶圆厂和晶片商的投资信心。也因此，业界才会对解析度可朝30纳米以下规格延伸，并能单次曝光的EUV寄予厚望；而EUV主要设备供应商ASML更是责无旁贷，务须跨越相关技术门槛，以延续摩尔定律（Moore’s Law）。

　　由于EUV对半导体产业的发展举足轻重，部分业者也忧心该技术一旦遭遇瓶颈，整个供应链将无以为继的窘境，竞相开始寻求备案。郑国伟提到，现阶段的确有厂商同时押宝不同的微影方案，其中，可省下光罩制程且解析度亦能满足1x纳米晶圆要求的多重电子束（Multi E-Beam）技术，为当下呼声最高的EUV替代选项；然而，E-Beam的晶圆产出速度还远远落后传统或EUV微影，短期内难有突破性的进展。