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NTGS3443T1的技术参数

发布时间:2021-07-26 发布时间:
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产品型号:NTGS3443T1

源漏极间雪崩电压VBR(V):20

源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):65

最大漏极电流Id(on)(A):-

通道极性:P沟道

封装/温度(℃):6TSOP/-55~150

描述:2A,P沟道MOSFET

价格/1片(套):¥1.80


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