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NTGS3441T1G的技术参数

发布时间:2021-07-26 发布时间:
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产品型号:NTGS3441T1G

源漏极间雪崩电压VBR(V):20

源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):90

最大漏极电流Id(on)(A):2.350

通道极性:P沟道

封装/温度(℃):TSOP-6/-55 ~150

描述:1 A, 20 V功率MOSFET

价格/1片(套):¥1.90


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