美国硅谷的设计工程师们一直认为FD-SOI技术有点像是”狼来了”那个故事里的男孩，其大量生产时程总是似乎快要来临，却一直没有实现──至少不是在硅谷。

相对于半导体大厂如英特尔(Intel)在每个工艺节点持续使用的传统块状CMOS技术，FD-SOI工艺对大多数美国设计工程师来说算是“新玩意儿”，而且是“舶来品”，而FD-SOI的生态系一直尚未成形，也是反对者不考虑该技术的主要理由，他们永远不想赌一把。

尽管如此，FD-SOI在欧洲还是有包括恩智浦(NXP Semiconductors)、意法半导体(STMicroelectronics)等支持者；今年稍早，NXP透露将全面采用FD-SOI技术的计划，并将以其最低功耗的通用型应用处理器i.MX 7ULP为出发点。

在此同时，FD-SOI在亚洲市场也有不少新发展，其中晶圆代工业者Globalfoundries是跑得最快的一个；Globalfoundries在亚洲市场的FD-SOI技术伙伴包括台湾处理器IP供应商晶心科技(Andes)，以及中国的瑞芯微(RockChip)、上海复旦微电子集团(Shanghai Fudan Microelectronics Group)，以及湖南国科微电子(Hunan Goke Microelectronics)。

以上这些厂商支持FD-SOI技术的共同理由，都是为了物联网(IoT)芯片；而其中晶心科技拥抱FD-SOI的决定特别引人瞩目。晶心与Globalfoundries最近宣布，晶心的32位CPU核心已经采用后者的22纳米FD-SOI技术(22FDX)实作；Globalfoundries指出，22FDX对物联网、主流移动通信、RF链接与网络等应用，是优化性能、功耗与成本的结合。

晶心科技总经理林志明接受EE Times采访时表示，FD-SOI：“将有助于我们推广超低功耗应用，例如物联网、手机、低功耗5G，以及电池供电的消费性电子设备…等等。”

股东包括联发科(Mediatek)在内的晶心科技锁定嵌入式市场，其CPU核心授权业务在ARM独大的市场仍找到了足够的发挥空间，可应用于触控屏幕控制器，Wi-Fi、蓝牙、FM与GPS控制器，还有物联网传感器中枢等领域。而联发科的物联网应用芯片也采用了晶心的IP。 

林志明表示，FD-SOI与晶心科技的产品开发方向正好一致：“我们的核心锁定低功耗、高效率，而且在Wi-Fi、蓝牙无线设备与物联网设备被广泛采用；”举例来说，其N9与N13核心一直专注于连结应用，N10/D10核心则是被应用于图像处理，N7、N8、N9、N10也被应用于各种物联网设备如可穿戴设备、智慧传感器等等。

“现在随着我们的下一代核心N25 (32位)、NX25 (64位)将支持RISC-V架构，并与Globalfoundries合作，我们将为全球市场客户带来更多优势；”林志明进一步解释：“在消费性电子应用，FD-SOI能利用基体偏压(body bias)提供广泛的性能以及功耗选项，这对于电池供电设备特别实用。”

他指出这同样适用于触控屏幕控制器，因为：“虽然触控屏幕控制器的工作周期很短，在主动进行多手指触控操作时会需要很大量的运算性能，但因为终端行动设备的特性，在大多数时间又需要非常低的功耗。”

林志明总结指出：“FD-SOI的终端目标市场正好与我们的产品线非常一致，我们有很多中低阶的核心如N7、N8与N9都已经在那些市场被采用，我们将会在近期之内看到更多内含晶心处理器核心的芯片采用FD-SOI工艺生产。”

FD-SOI技术其他进展

在此同时，Globalfoundries不久前宣布有三家中国客户采用其最新22FDX工艺技术，包括上海复旦微电子将在2018年采用该平台设计开发服务器、AI与智能物联网设备产品，瑞芯微将采用该工艺设计超低功耗Wi-Fi智能SoC以及高性能AI处理器，国科微则计划在新一代物联网芯片采用22FDX。

Globalfoundries先前就宣布在成都新建一座先进12吋晶圆厂(Fab 11)，预计在2018年初可完工 

法国的SOI与FD-SOI晶圆片供应商Soitec最近则宣布其2018与2019会计年度将投资4,000万欧元(约4,650万美元)，将FD-SOI晶圆片(12吋)的产量提升到一年40万片；该公司在9月宣布于新加坡的晶圆厂进行FD-SOI晶圆片的试产，目标是“更贴近客户需求”。

Soitec表示，这是该公司于新加坡展开FD-SOI晶圆片生产的第一阶段，未来将提供全球客户多个据点的FD-SOI基板供应来源，以因应市场的长期需求；Soitec也宣布了与Globalfoundries签署一项为期五年的协议，确保对后者供应充足的先进FD-SOI晶圆片。

Globalfoundries与三星(Samsung)都在试图把数据处理、链接性与内存等功能，整合于FD-SOI单芯片上；Globalfoundries表示其22纳米FD-SOI平台已经可以支持eMRAM技术，为广泛消费性与工业应用提供嵌入式内存提供嵌入式内存方案。

三星也宣布在28FDS工艺技术上首度成功投片eMRAM测试芯片；到目前为止该公司客户已经有超过40种采用FD-SOI工艺的产品成功投片，其应用包括IT网络、服务器、消费性产品、物联网设备以及车用设备。