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随着智能手机面对的应用场景日益复杂、以及用户对大型应用、高清视频等需求的增加，如今的手机存储芯片面临的压力越来越大。
三星新近推出的Galaxy S6以及S6 Edge均采用了基于UFS 2.0技术的存储芯片，采用命令队列（Command Queue）技术，直接通过串行接口加快命令执行速度。
其随机读写速度达到了惊人的19000 IOPS，是常用的eMMC 5.0嵌入式内存（7000 IOPS）的2.7倍，普通高速内存卡（1500 IOPS）的12倍。这对于手机响应速度的提升作用十分明显。
同为内存大厂的东芝，现在也推出了全新的eMMC 5.1规格闪存。也支持命令行序列，能够大幅度提升闪存的性能表现，另外还支持安全写保护功能，以提升安全性。 值得一提的是，虽然提升显著，但eMMC 5.1依然落后UFS技术，随机读写性能在11000-13000 IOPS左右。
东芝这次推出了四款eMMC 5.1产品，容量分别为16GB、32GB、64GB和128GB，封装尺寸为11.5*13mm，厚度则根据容量从0.8mm到1.2mm不等。今年第二季度将正式量产，也许不久的将来我们就将在智能手机上大量见到该产品的身影。
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