今天顺便研究了一下msp430的flash操作，很多人也许看了我的博客，会发现网站上有很多的人总结得比我要好，这点我承认，因为自己能力有限，但是，从这篇博客起，我会参照以前大神们写的博客，添加大神们写过的博客链接，分享给大家，注明：本人从不抄袭他人博客，博客只是个人技术的一个总结~~~，下面进入今天的正题

msp430F149有60k的flash，这个对于51来说，是相当的惊人的了，在涉及到flash的操作的时候，往往涉及到三个寄存器，FCTL1，FCTL2,FCTL3。突然间发现msp430的寄存器都有CTL这个字样，这对于记住不同的寄存器操作很有必要，这里我们要明白各个寄存器的用途

FCTL1是控制如何进行操作，比如读写，复制，擦除

FCLT2是控制读写的时钟频率，因为flash的操作频率必须是257K到476K之间

FCTL3用于控制FLASH存储器操作，保存相应的状态标志和错误条件

下面我们来总结一下如何对flash进行编程操作：

这里也总结下操作flash的三个寄存器的规律，所有的寄存器操作都是等于，所有的寄存器操作都要加上FWKEY，也就是密匙，了解这一点对编程这很重要

步骤1:设置时钟频率

这个时候，是对FCTL2进行操作，FCTL2 = FWKEY+FSSEL0+FN0；

这里解释一下，FSSELx他有5种选择格式，这里可以查看头文件

#define FSSEL0              (0x0040)  /* Flash clock select 0 */        /* to distinguish from USART SSELx */

#define FSSEL1              (0x0080)  /* Flash clock select 1 */

#define FSSEL_0             (0x0000)  /* Flash clock select: 0 - ACLK */

#define FSSEL_1             (0x0040)  /* Flash clock select: 1 - MCLK */

#define FSSEL_2             (0x0080)  /* Flash clock select: 2 - SMCLK */

#define FSSEL_3             (0x00C0)  /* Flash clock select: 3 - SMCLK */

FNx是分频比：这里有5种分频比：

#define FN0                 (0x0001)  /* Divide Flash clock by 1 to 64 using FN0 to FN5 according to: */

#define FN1                 (0x0002)  /*  32*FN5 + 16*FN4 + 8*FN3 + 4*FN2 + 2*FN1 + FN0 + 1 */

#ifndef FN2

#define FN2                 (0x0004)

#endif

#ifndef FN3

#define FN3                 (0x0008)

#endif

#ifndef FN4

#define FN4                 (0x0010)

步骤2：设置完分频的基本操作之后，一般就不用在对FCTL2进行操作了，这个时候

一般是对FCTL1进行设置，需要明白的是，对flash的操作是以段位操作的，而且在对flash进行操作的时候，一般要采用指针，这个时候，就要进行强制转化，例如设置一个flash的写函数所用的指针为 unsigned *Flash_ptr； Flash_ptr = （unsigned char *）0x1080

先对一个段进行擦除前，要进行一个假写入，所以这个时候要配置FCTL3，FCTL1，因为flash只能是读权限，要更改她的权限，要对flash的写的标志位进行置位

也就是

FCTL1 = FWKEY+ERASE；

FCTL3 = FWEKY；//#define FWKEY(0xA500)  /* Flash key for write */

这里要注意一个ERASE这个宏定义；这里是设置擦除的格式，查看头文件会发现有几种擦除格式

#define ERASE               (0x0002)  /* Enable bit for Flash segment erase */

#define MERAS               (0x0004)  /* Enable bit for Flash mass erase */

这个时候，假写入一个数据，就会使得cpu挂起，flash进行擦除
 *Flash_ptr = 0;  //从flash中启动一个擦除，这时候要假写入，启动擦除过程
 

步骤3：

启动擦除之后，就可以想flash中写入数据了，写入数据的格式：

 FCTL1 = FWKEY+WRT;//擦除的话，因为从flash中进行擦除，

                               //设定写模式

 for(i=0;i<128;i++)

    {

        *Flash_ptr ++ = value;//写入128个字节

    }

步骤4：做完上述操作，要对flash进行锁保护，以防止误写

 FCTL1 = FWKEY;//清掉写的操作位，防止写完后误操作

  FCTL3 = FWKEY +LOCK;//安全恢复保护