STM8的EEPROM在复位后，要想要写入数据，必须先解锁，必然无法写入数据。解锁就是向  FLASH_DUKR 中先后写入:

第一个硬件秘钥：0xAE

第二个硬件秘钥：0x56

两个字节的数据。

此时 FLASH_IAPSR 中的 DUL 位将会变为1，表示 EEPROM 已经成功解锁，可以进行写入操作了。如果发现 DUL 位不为 1 ，是可以按顺序重复写入秘钥的，直到 DUL 位为 1 为止。

但手册上是这么说的：

中文手册：

2.  如果密钥输入错误，应用程序可以尝试重新输入这两个MASS密钥来对DATA区域进行解
锁。

4.  如果密钥输入错误，DATA EEPROM区域在下一次系统复位之前将一直保持写保护状态。

在下一次复位前，再向该寄存器进行的任何写操作都会被系统忽略掉。

英文手册：

2.  If the key available on the data bus is incorrect, the FLASH_PUKR register remains 
locked until the next reset. Any new write commands sent to this address are 
discarded. 

4.  If the key available on the data bus is incorrect, the data EEPROM area remains write 
protected until the next reset. Any new write command sent to this address is ignored.

这些说明，给人的感觉是:如果第一个秘钥输入错误，那么可以重复输入，直到解锁，但如果第一个秘钥输入正确，而第二个秘钥输入错误，则将永久锁定，任何对该寄存器的写入操作都会被忽略掉，直到复位后下一次解锁前。

事实上，我经过试验，无论第一个秘钥错误，还是第二个秘钥错误，均可以重复操作直到解锁为止。

这里要注意的是，2个密钥的顺序，与STM8的用户手册上是相反的，如果按照手册上的顺序，就会停留在do…while循环中。具体原因，也不是很清楚，也可能是我拿到的手册（中文和英文的都一样）太旧了，或者是理解有误。

注：
参考资料说的解锁顺序的问题：
我们来看看官方给的库函数stm8s_flash.c文件中

void FLASH_Unlock(FLASH_MemType_TypeDef MemType)

{

    /* Check parameter */

    assert_param(IS_MEMORY_TYPE_OK(MemType));

    /* Unlock program memory */

    if (MemType == FLASH_MEMTYPE_PROG)

    {

        FLASH->PUKR = FLASH_RASS_KEY1;//KEY1:0x56

        FLASH->PUKR = FLASH_RASS_KEY2;//KEY2:0xAE

    }

    /* Unlock data memory */

    else

    {

        FLASH->DUKR = FLASH_RASS_KEY2; /* Warning: keys are reversed on data memory !!! */

        FLASH->DUKR = FLASH_RASS_KEY1;

    }

}

从上面的函数可以看到解锁FLASH和DATA EEPROM时的顺序是不一样的，中文手册上没体现这一点。当然我们要做的就是直接拿官方的库来用就行了！！