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2018年9月18日，一年一度的上海FD-SOI论坛在上海准时举行，本次大会由SOI产业联盟、芯原控股有限公司、上海新傲科技股份有限公司、中国科学院上海微系统与信息技术研究所联合主办。
Attopsemi董事长Shine Chung介绍了面向FD-SOI的I-Fuse技术，可以实现超高的可靠性和超低功耗的OTP。
Attopsemi董事长Shine Chung
众所周知，OTP（One Time Programmable）是单片机的一种存储器类型,意思是一次性可编程：程序烧入单片机后，将不可再次更改和清除。
随着嵌入式应用的越来越广泛，产品的安全也显得越来越重要。一方面是为了保护硬件设计，另外一方面也是为了产品本身的安全，防止被HACKED.
“每个芯片都需要OTP，如果他是可负担的并且是可靠的。”Shine Chung说道。
目前OTP均采用NVM（非易失存储器），利用包括Break fuse，Rupture oxide或者trap charges技术改变浮栅，但其可靠性相比较逻辑器件低10倍到100倍。
目前，主要应用都是基于熔丝的OTP方案。
其中eFuse技术是最为常见的。
Attopsemi的I-Fuse技术相比较eFuse具有更可靠的物理特性，不需要更多工程学知识即可保证熔丝有效可靠，真正实现了0缺陷。同时操作电压更低，功耗更低，所以可有效避免热损耗。
I-Fuse的优势一览
Shine Chung强调，FD-SOI的特性可以和I-Fuse完美结合，Attopsemi先后推出了4K8 I-Fuse Array和Macro两款IP，基于22nm FD-SOI技术，相比竞争对手的性能提高了7倍左右。
目前已有多家客户采用了Attopsemi的IP。
Shine Chung表示，对于10nm和7nm以下工艺，MOS电压不能无限缩小，因此不能使用反熔丝技术，而FD-SOI技术具有更低击穿电压，因此可以继续使用反熔丝技术。
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