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3D闪存
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相关技术
铠侠和西部数据已联合开发出第六代 162 层 3D 闪存技术
发布时间:2021-09-28
与非网2月22日讯 近日.日本闪存芯片公司铠侠(Kioxia)和西部数据联合宣布.它们已经开发出第六代162层3D闪存技术. ...
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技术百科
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CMOS
3D闪存
铠侠
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美光完成收购IMFT合资公司.英特尔获12.5亿美元分手费
发布时间:2020-06-17
在全球存储芯片行业的格局中.六大原厂中的东芝.西数以及Intel.美光是分别合资建厂的.只不过Intel.美光这对恋人因为对存储芯片发展的理念不同而决定分手.结束双方13年来的友情.Intel.美光两家公司2006年合资 ...
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技术百科
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Intel
3D闪存
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海力士发布72层256G 3D闪存芯片
发布时间:2020-06-03
苹果供应商海力士(SK Hynix)今天发布了72层.256Gb 3D NAND 闪存芯片.这种芯片比 48层技术多1.5倍.单个 256Gb NAND 闪存芯片可以提供 32GB 闪存.这种芯片比 48 层 3D NAND 芯片的内部运行速度快两倍.读写性能 ...
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半导体生产
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存储
海力士
3D闪存
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写入真脆弱!美光全球首发QLC闪存SSD:最大7.68TB
发布时间:2020-05-30
美光昨天发布了最新款的5210 ION系列企业级SSD.采用美光与Intel联合开发的新一代QLC NAND闪存颗粒.这也是全球首款QLC闪存产品.按照存储方式划分.NAND闪存已经发展了四代:第一代SLC每单元可存储1比特数据(1bits/ ...
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半导体生产
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3D闪存
QLC闪存
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3D闪存将优先于RRAM技术进入市场
发布时间:2020-05-15
基于金属氧化物的非挥发性存储器 ──电阻式RAM(RRAM).在11nm节点前不可能进入市场,在此之前.堆叠式浮闸NAND闪存相对较具潜力.而且很可能会朝向2~4Tbit的独立型整合芯片发展.IMEC研究所存储器研究专案总监Laith A ...
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存储技术
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3D闪存
165
三星正努力攻破160层3D闪存.制造工艺将大幅提高
发布时间:2024-11-22
有消息称.继去年推出的136层第六代V-NAND闪存后.三星目前正在研发160层及以上的3D闪存.将成为第七代V-NAND闪存的基础.据了解.136层第六代V-NAND闪存是三星今年的量产主力.韩媒报道称三星可能会大幅改进制造 ...
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存储技术
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三星
3D闪存
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