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国内专家搞定GAA晶体管:3nm.5nm关键技术

发布时间：2024-11-22

来自复旦大学微电子学院的消息.该校周鹏团队针对具有重大需求的3-5纳米节点晶体管技术.验证了双层沟道厚度分别为0．6 ／1．2纳米的围栅多桥沟道晶体管(GAA.Gate All Around).实现了高驱动电流和低泄漏电流的融合统一.为高性能低功耗电子器件的发展提供了新的技术途径 ...<全部>

半导体设计

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