研发资源 > 标签 > 垂直式穿隧磁阻
|相关技术

日本采用TMR技术制造8Gbit非易失性内存芯片

 发布时间：2021-06-02
一个日本研究团队宣布.已将高性能垂直式穿隧磁阻(perpendicular tunneling magneto-resistance)工艺扩展至非易失性逻辑组件的生产.并表示能以40纳米工艺技术制造出内建8Gbit约当容量之非易失性内存的逻辑芯片. ...<全部>
  • 128
上一个 下一个
|最新活动
一颗引发行业变革的红外芯片

一颗引发行业变革的红外芯片
|相关标签
|热门文章
日本采用TMR技术制造8Gbit非易失性内存芯片

技术

硬件开发 EMC IC封装设计 射频RF 单片机IMCU 信号完整性 FPGA 电源 PCB设计 物联网 PCB工艺 PCBA

阅读

电子汇 最新资讯 EDA365原创吧

资源

公开课 研讨会 在线计算器

互动

论坛 外包
电巢APP下载电巢APP下载
关于我们 ｜ 手机版 ｜ EDA365电子论坛网 (粤ICP备18020198号)
GMT, 2020-03-13 09:00 , Processed in 0.109375 second(s), 13 queries , Gzip On.