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日本采用TMR技术制造8Gbit非易失性内存芯片

 发布时间：2021-06-02
一个日本研究团队宣布.已将高性能垂直式穿隧磁阻(perpendicular tunneling magneto-resistance)工艺扩展至非易失性逻辑组件的生产.并表示能以40纳米工艺技术制造出内建8Gbit约当容量之非易失性内存的逻辑芯片. ...<全部>
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