非易失性-EDA365

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|相关技术

日本采用TMR技术制造8Gbit非易失性内存芯片

发布时间：2021-06-02

一个日本研究团队宣布.已将高性能垂直式穿隧磁阻(perpendicular tunneling magneto-resistance)工艺扩展至非易失性逻辑组件的生产.并表示能以40纳米工艺技术制造出内建8Gbit约当容量之非易失性内存的逻辑芯片. ...<全部>

半导体生产

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实现3 MHz带宽的非易失性数字电位计

发布时间：2021-05-19

ADI推出最低电阻容差的非易失性数字电位计.实现了3 MHz带宽.比最接近的竞争产品高50%.支持更快的系统响应.这些新产品在最宽的工作温度范围(-40°C至 125°C)内具有业界最低的温度系数性能.Analog Device ...<全部>

技术百科

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基于X24C45芯片的非易失性数据存储设计

发布时间：2020-06-28

在智能化电子产品的设计过程中,经常会遇到一些重要数据的非易失性保存问题.早期普遍采用的是电池维持RAM供电以实现整机掉电后的数据保存.但这样做会由于电池本身的原因,如电池的使用寿命相对较短及某些恶劣环境( ...<全部>

模拟电路设计

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一种新型非易失性存储器的原理及应用

发布时间：2020-06-20

纵观目前低容量并行接口的非易失存储器市场.EEPROM.FRAM.SRAM+BAKBAT方式等占据了市场主流.其中EEPROM的供应厂家很多.其中以ATMEL.ST等厂家占主导地位.FRAM只有美国RAMTRON公司一技独秀.而采用SRAM+BAKBAT方 ...<全部>

嵌入式开发

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非易失性存储器FeRAM.MRAM和OUM

发布时间：2020-06-16

本文对目前几种比较有竞争力和发展潜力的新型非易失性存储器做了一个简单的介绍. 铁电存储器(FeRAM) 铁电存储器是一种在断电时不会丢失内容的非易失存储器.具有高速.高密度.低功耗和抗辐射等优点. 当前应 ...<全部>

技术百科

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Ramtron推出8Mb并口非易失性F-RAM存储器

发布时间：2020-06-01

Ramtron International Corporation宣布推出采用FBGA封装的8兆位(Mb) F-RAM存储器.FM23MLD16是采用48脚球栅阵列(FBGA)封装的8-Mb.3V并口非易失性RAM.具有访问速度快.几乎无限次的读写次数以及低功耗等优点.该器 ...<全部>

半导体生产

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用低能耗项目挽救电子行业?德国新策略引人深思

发布时间：2020-05-25

德国Saxony州政府宣布了共计2亿美元为期5年的低耗能芯片项目[Cool Silicon".被喻为行业复苏的萌芽.不过业界对此仍持谨慎态度. 当去年年底债务推进停了下来.伴随经济出现逆转和大量工人失业.欧洲的电子工业 ...<全部>

电路设计

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Rambus 3500万收购非易失性存储技术提供商Unity

发布时间：2020-05-23

日前.Rambus宣布.其以3500万美元收购了一家非易失性存储技术供应商Unity半导体公司.Unity半导体成立于2002年.总部位于加州硅谷.其主要从事非易失性内存技术开发.被认为将会取代现有NAND内存技术.他们开发的CM ...<全部>

电路设计

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走进闪存技术

发布时间：2020-05-16

作为EPROM(可擦除可编程只读存储器)和EEPROM(电可擦除可编程只读存储器)两种存储器的折衷.闪存是20世纪80年代问世的.像EEPROM存储器一样.闪存支持电擦除数据,保存新数据闪存无需擦除整个存储阵列.像EPROM存 ...<全部>

存储技术

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一种新型非易失性存储器的原理及应用

发布时间：2020-05-16

纵观目前低容量并行接口的非易失存储器市场.EEPROM.FRAM.SRAM+BAKBAT方式等占据了市场主流.其中EEPROM的供应厂家很多.其中以ATMEL.ST等厂家占主导地位.FRAM只有美国RAMTRON公司一技独秀.而采用SRAM+BAKBAT方 ...<全部>

存储技术

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