内存芯片-EDA365

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内存芯片识别方法

发布时间：2020-12-01

内存芯片识别方法1．LGS:LGS的SDRAM芯片上的标识,GM72V*****1**T**GM为LGS产品,72为SDRAM,第1.2个*代表容量.16为16Mbit.66为64Mbit,第3.4个*代表数据位宽.一般为4.8.16等.不补0,第5个*代表bank.2代表 ...<全部>

模拟电路设计

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现代内存芯片的编号识别

发布时间：2020-10-14

现代内存芯片的编号识别一.现代(HYUNDAI)公司的SDRAM内存芯片上的标识格式如下(这里说的是2000年9月30日后的新版本HY内存芯片):HY XX X XX X X X XX X -XX① ②③ ④ ⑤ ⑥ ⑦ ⑧ ⑨ ⑩第1字段由HY组成.代表是现代(HYUNDAI ...<全部>

模拟电路设计

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现代内存芯片的编号识别

发布时间：2020-07-15

现代内存芯片的编号识别一.现代(HYUNDAI)公司的SDRAM内存芯片上的标识格式如下(这里说的是2000年9月30日后的新版本HY内存芯片):HY XX X XX X X X XX X -XX① ②③ ④ ⑤ ⑥ ⑦ ⑧ ⑨ ⑩第1字段由HY组成.代表是现代(HYUNDAI ...<全部>

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中国内存爆发.引起国外巨头们的恐慌!

发布时间：2020-06-23

中国的半导体产业正在极速爆发.这也引起了国外巨头们的恐慌.他们当然不希望这块国产厂商能够迎头追上. 据台湾电子时报报道称.美光科技在美国加州的一家联邦地方法庭提交了诉状.指控联华电子以及下属的福 ...<全部>

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内存芯片

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东芝或剥离半导体项目.西数要接手?

发布时间：2020-06-23

据日本媒体报道.目前东芝公司正与美国西部数据公司进行谈判.计划将半导体业务剥离出来成立新的子公司.并以 2000 亿-3000 亿日元(约合 17.7 亿-26.6 亿美元)的价格.将 20% 股权售予后者.新公司最早将于 2017 ...<全部>

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东芝内存CEO:不担心内存芯片价格下滑.并重申公司在两三年内上市

发布时间：2020-06-19

全球第二大NAND闪存制造商东芝内存(Toshiba Memory)今日表示.公司已经在准备IPO(首次公开招股)事宜.最快将在2年内上市.东芝内存CEO成毛康雄(Yasuo Naruke)周三称.他并不担心近期的内存芯片价格下滑.并重申公司 ...<全部>

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117

国产内存真的来了:量产DDR3.DDR4内存芯片

发布时间：2020-06-19

还记得前段时间闹得沸沸扬扬的国产DDR4芯片的传闻吗?当时有消息称紫光旗下的半导体公司量产了国内首个DDR4内存.只是这事疑点重重.最后紫光官方也辟谣称目前并没有DDR4内存量产.相关产品正在研发中.现在国产DDR4 ...<全部>

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DDR4
内存芯片

175

美光推进DDR5内存芯片:2019年底或量产

发布时间：2020-06-16

尽管JEDEC(固态存储协会)的DDR5标准尚未定案.Cadence(铿腾)和美光已经开始研发16Gb容量的DDR5产品.并计划在2019年底量产.事实上.早在今年5月.Cadence就展示了首款DDR5内存验证模组.DRAM来自美光.接口层自 ...<全部>

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DDR5
内存芯片

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三星首发LPDDR5内存芯片:功耗降低30%.5G和AI是主力服务的场景

发布时间：2020-06-16

7月17日上午消息.三星今晨宣布.成功开发出业内首款LPDDR5-6400内存芯片.基于10nm级(10~20nm)工艺.据悉.该LPDDR5内存芯片单颗容8Gb(1GB).8GB容量的模组原型也做出并完成功能验证.其它基本规格还有.内存速 ...<全部>

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三星量产全球最小DDR4内存芯片.实现了新的突破

发布时间：2020-06-16

据韩联社北京时间12月20日报道.三星电子今天宣布.公司已开始通过第二代10纳米级制程工艺量产DRAM内存芯片.三星称.公司使用第二代10纳米级工艺生产出了8Gb DDR4芯片.实现了新的突破.2016年2月.三星已使用第一 ...<全部>

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DRAM
内存芯片

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一颗引发行业变革的红外芯片

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