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利用缝隙抑制型钨填充接触区工艺来降低良率损失

 发布时间：2021-01-27
作者:应用材料公司金属沉积产品事业部接触和中段产品线全球经理Jonathan Bakke在早先的技术节点中.由于器件尺寸较大.能采用成核及平整化化学气相沉积(CVD)技术进行钨(W)填充.如今.由于插塞处的超小开口很容易发 ...<全部>
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