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氮化镓
氮化镓
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用GaN重新考虑功率密度
发布时间:2024-04-11
电力电子世界在1959年取得突破.当时Dawon Kahng和MarTIn Atalla在贝尔实验室发明了金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET).首款商业MOSFET在五年后发布生产.从那时起.几代MOSFET晶体管使电源设计人员实现了双极 ...
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电源应用
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氮化镓
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利用氮化镓场效应晶体管和LM5113半桥驱动器实现的功率及效率
发布时间:2021-04-22
利用氮化镓场效应晶体管和LM5113半桥驱动器实现的功率及效率-但如何能够产生所要求的快速变化.带宽处于数十兆赫兹(MHz)范围的供电电压?我们可以通过不同的方法来实现.其中一个方法是使用如图2所示的混合式线性放大器和多相降压转换器.其中降压转换器只给负载组件/系列的傅里叶大功率.低频部分供电.我们也有讨论其他实现方法.如使用升压转换器或S类放大器.无论使用哪一个方法.氮化镓技术可以推动包络跟踪转换器和宽带RFPA设计. ...
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模拟电子
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晶体管
驱动器
氮化镓
117
让我们一起实现氮化镓的可靠运行
发布时间:2020-11-10
我经常感到奇怪.我们的行业为什么不在加快氮化镓 (GaN) 晶体管的部署和采用方面加大合作力度;毕竟.大潮之下.没人能独善其身.每年. ...
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电源应用
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氮化镓
可靠运行
22
下一代功率器件会有什么特点
发布时间:2020-10-28
行业标准的收紧和政府法规的改变是使产品能效更高的关键推动因素.例如.数据中心正在成倍增长以满足需求.它们使用的电力约占世界总电力供应(400千瓦时)的3%.占温室气体排放总量的2%.航空业的碳排放量也一样.随 ...
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电源硬件技术
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功率器件
氮化镓
11
氮化镓在射频通信中应用
发布时间:2020-10-15
氮化镓并非革命性的晶体管技术.这种新兴技术逐渐用于替代横向扩散金属氧化物硅半导体(Si LDMOS)和砷化镓(GaAs)晶体管技术以及某些特定应用中的真空管. 与现有技术相比.氮化镓(GaN)的优势在于更高的漏极效率. ...
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RF技术
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氮化镓
射频通信
9
Qorvo:关于氮化镓的十个重要事实
发布时间:2020-09-15
从下一代的国防和航天应用.到有线电视.VSAT.点对点(PtP).基站基础设施.Qorvo的GaN(氮化镓)产品和技术为您身边的各种系统提供领先的 性能支持.让您能够随时联网并受到保护.这些领先性能包括:高功率密度. ...
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接口
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氮化镓
Qorvo
156
GaN(氮化镓)将推动电源解决方案的进步
发布时间:2020-09-09
实现更加高效的电力转换是应对当前增长的人口和能源需求的一个关键技术目标. 能够有效推动这一目标达成的重要创新就是在电源应用中使用氮化镓 (GaN).GaN是一种已经成熟的半导体材料.广泛应用于LED照明.并在无 ...
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电池技术
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电源
氮化镓
147
氮化镓(GaN)技术推动电源管理不断革新
发布时间:2020-09-07
Ahmad Bahai.德州仪器(TI)公司首席技术官 我们可以想象一下:当你驾驶着电动汽车行驶在马路上.电动车充电设备的充电效率可以达 ...
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电源应用
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德州仪器
氮化镓
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宜普电源转换公司(EPC)推出高频单片式氮化镓半桥功率晶体管
发布时间:2020-09-04
EPC2111氮化镓半桥功率晶体管帮助系统设计师实现具更高效率的负载点系统应用.在14 A.12 V转至1.8 V.5 MHz开关时实现超过85%效率.及在10 MHz开关时实现超过80%效率.宜普电源转换公司(EPC)宣布推出30 V的增强型 ...
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氮化镓
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宜普电源转换公司
132
用集成驱动器优化GaN性能
发布时间:2020-07-10
导读:将GaN FET与它们的驱动器集成在一起可以改进开关性能.并且能够简化基于GaN的功率级设计.氮化镓 (GaN) 晶体管的开关速度比硅MOSFET快很多.从而有可能实现更低的开关损耗.然而.当压摆率很高时.特定的封装 ...
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