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氮化镓
用GaN重新考虑功率密度
电力电子世界在1959年取得突破.当时Dawon Kahng和MarTIn Atalla在贝尔实验室发明了金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET).首款商业MOSFET在五年后发布生产.从那时起.几代MOSFET晶体管使电源设计人员实现了双极...
电源应用
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MOSFET
pfc
氮化镓
发布时间:2024-04-11
您是否在准确测定氮化镓器件的皮秒量级上升时间?
当测定氮化镓(GaN)晶体管的皮秒量级上升时间时.即使有1GHz的观察仪器和1GHz的探针仍可能不够.准确测定GaN晶体管的上升和下降时间需要细心留意您的测量设置和设备.让我们初步了解一下使用TI最近推出的LMG...
电源硬件技术
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氮化镓
上升时间
LMG5200
皮秒量级
发布时间:2023-08-29
用集成驱动器优化氮化镓性能
氮化镓 (GaN) 晶体管的开关速度比硅MOSFET快很多.从而有可能实现更低的开关损耗.然而.当压摆率很高时.特定的封装类型会限制GaN FET的开关性能.将GaN FET与驱动器集成在一个封装内可以减少寄生电感.并且...
电源硬件技术
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氮化镓
性能
集成驱动器
发布时间:2023-08-04
器件功耗逐步增加.氮化镓技术的优势愈发明显
随着技术的发展.对功率的需求也在增加.氮化镓(GaN)等宽禁带(WBG)材料逐渐彰显其作为新一代功率半导体骨干材料的潜力.这类材料功耗更低.性能却优于那些已趋成熟的硅器件.消费类充电器.数据中心.5G和电动汽...
材料技术
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gan
氮化镓
发布时间:2023-05-26
碳化硅瞄准新的电力电子行业
碳化硅(SiC)技术有望实现更高的效率.更小的外形尺寸.更低的成本并降低对更智能电源设计的冷却要求.广泛采用的宽禁带(WBG)半导体技术在电力电子行业继续增长.碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)半导体材料表现出优越的性能...
技术百科
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氮化镓
碳化硅
宽禁带
电力电子
发布时间:2023-02-22
宜普电源转换公司(EPC)在全数字国际消费电子展(CES®) 展示基于氮化镓技术的消费电子应用
欢迎您与氮化镓(GaN)技术专家一起在CES的EPC虚拟展台中.探索基于更高效.更小尺寸和更低成本的氮化镓场效应晶体管和集成电路的解决方案.如何增强消费电子产品的功能和性能....
技术百科
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氮化镓
消费电子
epc
发布时间:2022-09-16
氮化镓已为数字电源控制做好准备
术语[准备就绪"竟然有如此多不同的含义.真是有趣.若您儿孙满堂.[准备就绪"是指您需要轮流做许多准备,我们不会离开30分钟.在飞机上.[准备就绪"意味着收起您的手机,这样.飞机最终才能安全起飞. 我们已...
电源硬件技术
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氮化镓
数字电源控制
发布时间:2022-09-13
用集成驱动器优化GaN性能
导读:将GaN FET与它们的驱动器集成在一起可以改进开关性能.并且能够简化基于GaN的功率级设计.氮化镓 (GaN) 晶体管的开关速度比硅MOSFET快很多.从而有可能实现更低的开关损耗.然而.当压摆率很高时.特定的封装...
模拟电路设计
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TI
氮化镓
集成驱动器
发布时间:2022-04-18
用氮化镓能获得更好的音频放大器吗?
音频是一个复杂的应用.尤其是对于发烧友领域各个层面的需求.最高端的音频设备通常都价格高昂.不同类型的音频放大器吸引了众多用户的追求.他们相信其选择可以最好地再现播放原始录音的真实含义.尽管在各...
显示技术
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音频放大器
氮化镓
发布时间:2022-03-16
基于氮化镓的电源解决方案总体拥有成本评估
引言近年来.电信市场正在朝云计算的方向转变.这导致超大规模数据中心空前快速的增长.而每个机架需要处理的功能也越来越多.反过来.这种趋势也意味着对功率的需求快速增加.而重点则是采用消耗更少电力的更高效....
材料技术
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电源
氮化镓
发布时间:2022-01-12
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