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缓存雪崩/穿透/击穿的解决方案

发布时间：2024-02-26

缓存雪崩/穿透/击穿的解决方案-缓存是我们项目应用肯定会使用.是我们数据库的守护神.能够保证数据库的稳定.能够提高整个系统的性能.一般我们采用市面上的redis.memcahce方案,redis已经非常强大了.每秒支持几万的连接时不成问题. ...<全部>

存储技术

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缓存
雪崩

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看懂MOSFET数据表.第1部分―UIS/雪崩额定值

发布时间：2020-07-10

在看到MOSFET数据表时.你一定要知道你在找什么.虽然特定的参数很显眼.也一目了然(BVDS.RDS(ON).栅极电荷).其它的一些参数会十分的含糊不清.模棱两可(IDA.SOA曲线).而其它的某些参数自始至终就毫无用处(比如 ...<全部>

其他资讯

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MOSFET
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9款低外形快速和超快雪崩整流器[Vishay]

发布时间：2020-06-07

宾夕法尼亚.MALVERN - 2011 年 4 月 18 日 - 日前.Vishay Intertechnology, Inc.宣布.发布9款新系列低外形.表面贴装的标准.快速和超快雪崩整流器---AS1Px.AS3Px和AS4Px标准整流器.AR1Px.AR3Px和AR4Px快速整 ...<全部>

稳流/电流管理

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MOSFET的UIS和雪崩能量解析

发布时间：2020-05-23

在功率MOSFET的数据表中.通常包括单脉冲雪崩能量EAS.雪崩电流IAR.重复脉冲雪崩能量EAR等参数.而许多电子工程师在设计电源系统的过程中.很少考虑到这些参数与电源系统的应用有什么样的联系.如何在实际的应用中 ...<全部>

分离器件设计

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雪崩光探测器优化设计取得新进展

发布时间：2020-05-19

光探测器(PD)是光通信系统的核心器件.现有的通信用PD包括PIN-PD和雪崩光探测器(Avalanche photodetector. APD).PIN-PD即使在最大响应度的条件下.一个光子最多也只能产生一个电子-空穴对.是一种无内部增益的 ...<全部>

传感器分类

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如何提高4H-SiC肖特基二极管和MOSFET的雪崩耐受性

发布时间：2024-11-03

半导体市场的最新趋势是广泛采用碳化硅(SiC)器件.包括用于工业和汽车应用的肖特基势垒二极管(SBD)和功率MOSFET.与此同时.由于可供分析的现场数据有限.这些器件的长期可靠性成为一个需要解决的热点问 ...<全部>

ESD

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SiC MOSFET应用技术在雪崩条件下的鲁棒性评估

发布时间：2024-11-03

本文将探讨如何在雪崩工作条件下评估SiC MOSFET的鲁棒性.MOSFET功率变换器.特别是电动汽车驱动电机功率变换器.需要能够耐受一定的工作条件.如果器件在续流导通期间出现失效或栅极驱动命令信号错误.就会 ...<全部>

电源硬件技术

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