内存芯片-EDA365

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美光将利用IBM 3D制程制造首颗商用内存芯片

近日.IBM表示促使美光(Micron)的混合式记忆体立方体(Hybrid Memory Cube)在不久成为第一颗采用3D制程的商用芯片. 美光将会开始生产利用IBM的3D芯片制程硅穿孔(through-silicon vias; TSVs)所打造的第一颗芯片....

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发布时间：2020-05-16

全球内存芯片产值未来五年年增上看7.3%

据koreaherald报道.全球内存芯片景气持续畅旺.能见度已看到未来五年.无论是市场需求.或是合约价格均同时看升. 专业半导体调研机构IC Insights周一公布数据预测.2021年全球DRAM.NAND闪存产值规模将来到1,099亿...

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内存芯片

发布时间：2020-05-16

Hynix宣布成功开发出30nm制程级别DDR4内存芯片

韩国Hynix宣布已成功开发出2Gbit密度的DDR4内存芯片.以及采用这种芯片制作的2GB容量的DDR4内存条.这款DDR4内存芯片采用 30nm级别(关键尺寸在30-39nm范围)制程制作.Hynix开发的2GB DDR4内存条上安装有ECC校验芯片...

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发布时间：2020-05-15

世界最小!尔必达已量产25nm内存芯片

8月2日如同计划中的一样.日本企业尔必达成功在七月份完成了25nm内存颗粒产品的生产.它们也因此生产出了世界上最小的DDR3芯片.2Gb 1866MHz频率的颗粒.电压为1.35V或1.5V.WriteSpan('ad_500_1') 尔必达表示....

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发布时间：2020-05-15

内存芯片参数介绍

具体含义解释:例:SAMSUNG K4H280838B-TCB0主要含义:第1位--芯片功能K.代表是内存芯片.第2位--芯片类型4.代表DRAM.第3位--芯片的更进一步的类型说明.S代表SDRAM.H代表DDR.G代表SGRAM.第4.5位--容量和刷新...

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发布时间：2024-11-25

高通欲与三星合作生产非内存芯片业务

高通日前表示.正在与韩国三星进行商谈.预计将会从后者处购买芯片产品.以此来应对逐渐增加的市场需求. 路透社报道,[三星是目前公司正在进行商...

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发布时间：2024-11-25

英飞凌内存芯片部门今秋有望上市

德国商报(Handelsblatt)日前报道称.德国芯片大厂英飞凌(Infineon)正在考虑为其内存芯片部门进行首次公开招股(IPO).但尚未做出正式决定. 该报...

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发布时间：2024-11-25

三星.Rambus对簿公堂只为内存芯片的版权

电脑内存设计商Rambus公司和其最大的顾客三星公司之间的合作关系本周出现裂痕.两家公司为了电脑内存芯片的专利权而对簿公堂. ...

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发布时间：2024-11-25

内存电路分析-设计框图和金手指

内存电路分析-设计框图和金手指-8个接内存总线的数据线.一个芯片接一个数据组也就是8根线组成的一个数据组.依次为Data[0:7], Data[8:15], -, Data[56:63],第九个芯片接数据校验位....

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发布时间：2024-11-25

英飞凌将定内存芯片部门去向.传买家为美光

据国外媒体报道.德国芯片厂商英飞凌计划出售旗下的内存芯片部门.买家将是其主要竞争对手美光科技和台湾的投资伙伴南亚科技公司. 据美国投资银...

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发布时间：2024-11-25

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第26届高交会元宇宙完美收官，数字化参会体验引爆全场

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