研发资源 > 标签 > 功率

DIY音频功率放大器(3)

 11.钻孔完成后.将PCB裁切成需要的大小.边角打磨平整 12.一边用水冲洗.一边用砂纸打磨干净(我使用的是刷碗的纱布.不容易损坏铜皮)..注意节约用水 13.涂抹松香酒精溶液.注意要使用无...
发布时间：2020-05-23

DIY音频功率放大器(4)

 10. 底座和上盖采用1.2mm的冷板.不好加工.直接在五金店切好板.本制作中唯一求助外界的地方.花了24RMB.. 对底座进行规划.画线.钻孔 打磨好 上盖只需要开螺丝空.轻松一些 来一张...
发布时间：2020-05-23

ST推出全新评估平台 客户可仿真模拟和功率芯片

 意法半导体(纽约证券交易所代码:STM)宣布成功开发一个新的评估平台.客户可以仿真意法半导体先进的模拟和功率芯片.Cadence® OrCAD®, PSpice®是一项稳健且广泛使用的软件仿真技术.新的芯片评估平台采用此项技术...
发布时间：2020-05-23

SiC功率模块关键在价格.核心在技术

 日前.碳化硅(SiC)技术全球领导者半导体厂商Cree宣布推出采用 SiC材料可使感应加热效率达到99%的Vds最大值为1.2KV.典型值为5.0 mΩ半桥双功率模块CAS300M12BM2.该款产品目标用途包括感应加热设备.电机驱动器.太...
发布时间：2020-05-23

赛灵思推出高带宽低功耗的Virtex-6 FPGA

 2009年2月6日.可编程逻辑解决方案厂商赛灵思公司(Xilinx, Inc.)在北京宣布推出新一代旗舰产品--Virtex® 高性能现场可编程门阵列(FPGA)系列产品.支持高性能.计算密集电子系统开发人员在面对更短设计周期和更低...
发布时间：2020-05-23

面向汽车应用.具最低通态电阻的30V功率MOSFET

 英飞凌科技股份公司(FSE:IFX / OTCQX: IFNNY)近日面向大电流应用的汽车推出一款具备全球最低通态电阻的30V功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管).全新的OptiMOS™-T2 30V MOSFET是一款N沟道器件.在10V栅...
发布时间：2020-05-23

理解功率 MOSFET 的电流

 通常.在功率MOSFET的数据表中的第一页.列出了连续漏极电流ID.脉冲漏极电流IDM.雪崩电流IAV的额定值.然后对于许多电子工程师来说.他们对于这些电流值的定义以及在实际的设计过程中.它们如何影响系统以及如何选...
发布时间：2020-05-23

如何将LED技术顺利应用到汽车头灯中来

 汽车上的灯光系统不但让驾驶者能实际了解汽车的状况.更提供了安全驾驶过程中.所必须兼具的条件.而新一代的光源LED.这对许多消费者来说一点也不陌生.已进一步扩大应用于汽车上.并根据各个应用面对于效能的不同...
发布时间：2020-05-23

德州仪器推出NexFET™ N沟道功率MOSFET

 采用5 mm x 6 mm QFN封装并集成超低导通电阻的25 V和30 V器件. 2015年1月22日.北京讯 ---日前.德州仪器 (TI) 推出其NexFET™ 产品线11款新型N沟道功率MOSFET.其中包括具有业界最低导通电阻并采用QFN 封装的25...
发布时间：2020-05-23

全新的适用于高压功率MOSFET的无管脚SMD封装

 英飞凌科技股份公司近日推出适用于高压功率MOSFET的全新无管脚SMD封装ThinPAK 8x8.新封装的占板空间仅为64平方毫米(D2PAK的占板空间为150平方毫米).高度仅为1毫米(D2PAK的高度为4.4毫米).大幅缩小的封装尺寸...
发布时间：2020-05-23
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