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功率MOSFET
功率MOSFET的开关损耗的研究
本文详细分析计算开关损耗.并论述实际状态下功率MOSFET的开通过程和自然零电压关断的过程.从而使电子工程师知道哪个参数起主导作用并更加深入理解MOSFET. MOSFET开关损耗 1 开通过程中MOSFET开关损耗 功...
分离器件设计
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开关损耗
功率MOSFET
发布时间:2020-06-29
电压高(120VP-P)的功率MOSFET放大器
电压高(120VP-P)的功率MOSFET放大器电路的能功要使放大后的波形与输入波形相似.放大电路必须采用对称电路.而且有源元件的特性要一致.本电路就是波形失真小的放大电路.各级均为推挽对称电路.可以获得上升边和...
放大器-比较器-模拟开关
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放大器
功率MOSFET
电压高
发布时间:2020-06-06
新型DirectFETplus功率MOSFET系列[IR]
全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier.简称IR) 推出DirectFETplus功率MOSFET系列.采用了IR的新一代硅技术.可为 12V输入同步降压应用提供最佳效率.这些应用包括新一代服...
集成电路
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IR
功率MOSFET
IRF6811
DirectFETplus
发布时间:2020-05-25
全新英飞凌功率MOSFET系列使电动工具更紧凑耐用
DIY工具.比如无线电钻和电锯必须方便使用且经久耐用.因此.其所用的电子元件必须紧凑.坚固.英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)扩展StrongIRFET™ Power MOSFET产品系列.推出同时满足紧凑和耐用要求...
分离器件设计
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英飞凌
功率MOSFET
电动工具
发布时间:2020-05-23
IR推出新型高电压功率MOSFET高侧驱动器
日前.国际整流器公司 (International Rectifier.简称IR) 推出AUIRS2016S 器件.适用于汽车栅极驱动应用.包括通用喷轨.柴油和汽油直喷应用.以及螺线管驱动器. AUIRS2016S是一款高电压功率MOSFET高侧驱动器...
集成电路设计
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高电压
功率MOSFET
AUIRS2016S
发布时间:2020-05-19
IR推出工业应用150V和200V MOSFET
产品特性:总闸电荷分别降低了高达59%和33%达到工业级别及第一级湿度感应度采用TO220.D2PAK.TO262.DPAK和IPAK封装应用范围:开关模式电源 .不断电系统.反相器和DC马达驱动器等日前.国际整流器公司 (Internati...
电源硬件技术
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电源
工业应用
IR
功率MOSFET
SMPS
HEXFET
发布时间:2024-11-18
如何创建一个集成且不显眼的糖尿病管理系统?
世界卫生组织(WHO)指出.全球有4亿多人患有糖尿病.自1980年以来.糖尿病人数几乎翻了两番.在这些数字的背后.真正的悲剧是糖尿病可能导致严重的健康并发症.如失明.中风.下肢麻木和截肢.心脏病发作甚至...
技术百科
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过压
功率MOSFET
过流
糖尿病管理系统
线性区
发布时间:2024-11-18
稳健的汽车40V功率MOSFET提高汽车安全性
意法半导体最先进的40V功率MOSFET可以完全满足EPS (电动助力转向系统)和EPB (电子驻车制动系统) 等汽车安全系统的机械.环境和电气要求. 这些机电系统必须符合汽车AEC Q101规范.具体而言.低压MOSFET必须耐...
电源硬件技术
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汽车
功率MOSFET
安全性
发布时间:2024-11-18
Si7192DP:Vishay Siliconix TrenchFET功率MOSFET
产品特性:PowerPAK SO-8 封装4.5V 栅极电压时有2.25 毫欧最大导通电阻导通电阻与栅极电荷乘积为 98应用范围:稳压器模块.服务器使用负载点功率转换的众多系统日前.Vishay推出新型第三代 TrenchFET功率 MOSFET 系...
电源硬件技术
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功率MOSFET
Si7192DP
Siliconix TrenchFET
发布时间:2024-11-18
功率MOSFET管在过电流和过电压条件下损坏形态的原因
功率MOSFET管在过电流和过电压条件下损坏形态的原因-硅片中间区域是散热条件最差的位置.也是最容易产生热点的地方.可以看到.上图中.击穿小孔洞即热点.正好都位于硅片的中间区域....
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过电压
功率MOSFET
过电流
发布时间:2024-11-18
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第二十六届高交会:是时候放出些元宇宙"大招"了
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栅极驱动
AUIRS2016S
IRF6811
瑞萨电子
SiR662DP
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