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器件
基于GaN FET的CCM图腾柱无桥PFC
氮化镓 (GaN) 技术由于其出色的开关特性和不断提升的品质.近期逐渐得到了电力转换应用的青睐.具有低寄生电容和零反向恢复的安全GaN可实现更高的开关频率和效率.从而为全新应用和拓扑选项打开了大门.连续传导模式...
分离器件设计
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晶体管
电路
器件
发布时间:2020-05-23
飞兆半导体推出1200 V 沟槽型场截止IGBT
高压IGBT可降低高功率太阳能逆变器.UPS和电焊机中的总功耗.电路板尺寸和整体系统成本飞兆半导体是全球领先的高性能电源和移动半导体解决方案的提供商.其推出一系列1200 V沟槽型场截止IGBT.以硬开关工业应用为目...
分离器件设计
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半导体
器件
飞兆半导体
技术探讨
发布时间:2020-05-23
意法半导体推出最新的MDmesh™ Dk5功率MOSFET管
2017年5月22日.意法半导体推出最新的MDmesh™ Dk5功率MOSFET管.内部增加一个快速恢复二极管的甚高压(VHV)超结晶体管.这样结构有助于设计人员最大限度提升各种功率转换拓扑的能效.包括零压开关(ZVS)LLC谐振转换器...
分离器件设计
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器件
意法半导体
MOSFET管
Dk5
发布时间:2020-05-23
恩智浦推出Power SO-8LFPAK封装60V和100V器件
恩智浦半导体(NXP Semiconductors)宣布推出全新60 V和100 V晶体管.扩充Trench 6 MOSFET产品线.新产品采用Power SO-8LFPAK封装.支持60 V和100 V两种工作电压.Trench 6芯片技术和高性能LFPAK封装工艺的整合赋予新...
分离器件设计
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MOSFET
器件
NXP
trench
SO-8LFPAK
发布时间:2020-05-23
ST推出新款功率MOSFET.实现更小.更环保的汽车电源
中国.2015年12月23日--意法半导体(STMicroelectronics.简称ST,纽约证券交易所代码:STM)针对汽车市场推出了新系列高压N沟道功率MOSFET.新产品通过AEC-Q101汽车测试认证.采用意法半导体最先进.内置快速恢复二...
分离器件设计
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器件
汽车测试
发布时间:2020-05-23
Littelfuse新一代Multipulse™ SIDAC器件优化最新的卤化物灯点火电路设计
Littelfuse公司是电路保护领域的全球领先企业.现已推出了Kxxx1GL系列Multipulse™ SIDAC.这是一款旨在用于220-240V交流线路安装的晶闸管电源控制设备. 晶闸管在与电容和变压器搭配使用的情况下.可产生点亮金属卤...
分离器件设计
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器件
Littelfuse
卤化物
SIDAC
发布时间:2020-05-23
Littelfuse推出业界首款01005倒装芯片封装的单向ESD保护器件
新的 TVS 二极管阵列为高数据速率接口和通用应用带来了新选择Littelfuse, Inc.(NASDAQ:LFUS)今日宣布推出了行业首创产品:该新系列三款单向 TVS 二极管阵列产品均采用 01005 (0.230mm x 0.430mm)倒装芯片封装....
分离器件设计
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器件
Littelfuse
发布时间:2020-05-23
Fairchild发布具有一流效率和可靠性的SuperFET III MOSFET系列
加利福尼亚桑尼维尔 – 2016 年 9月 21日 - Fairchild.现在是安森美半导体的一部分.今天推出了其SuperFET® III系列.用于650V N沟道MOSFET.这是该公司新一代的MOSFET.可满足最新的通信.服务器.电动车(EV)充电器...
分离器件设计
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电压
器件
服务器
发布时间:2020-05-23
Brad® M12 电源 F 编码连接器具有 16 安的载流能力
2016年8月24日.Molex 公司推出 Brad® M12 电源 F 编码电线组和插座产品.采用盲插键设计.具有行业领先的载流能力.高达每针 16 安.产品的开发满足自动化控制系统中电机.电磁操作阀.驱动设备以及 24 伏直流辅助...
分离器件设计
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电源
器件
连接器
molex
编码
16安
M12
发布时间:2020-05-23
飞兆推出全新初级端调节PWM控制器
飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 推出全新初级端调节 (primary-side regulation, PSR) 脉宽调制 (PWM) 控制器系列.实现精简又高效的电池充电器和电源电路设计.这些EZSWITCH 初级端调节控制器集成了一个...
分离器件设计
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器件
飞兆半导体
PWM控制器
发布时间:2020-05-23
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