技术参数-EDA365

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NTJD4401NT1G的技术参数

产品型号:NTJD4401NT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):375最大漏极电流Id(on)(A):0.630通道极性:N沟道封装/温度(℃):SOT-363/-55 ~150描述:小信号20 V,双N沟道 MOSFET价格/1片(套):￥1.60...

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发布时间：2021-07-26

NTJD4152PT1G的技术参数

产品型号:NTJD4152PT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):215最大漏极电流Id(on)(A):0.880通道极性:P沟道封装/温度(℃):SOT-363/-55 ~150描述:小信号20 V, 0.88 A双P沟道 MOSFET价格/1片(套):...

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发布时间：2021-07-26

NTP30N06LG的技术参数

产品型号:NTP30N06LG源漏极间雪崩电压VBR(V):60源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):46最大漏极电流Id(on)(A):30通道极性:N沟道封装/温度(℃):TO-220/-55 ~150描述:30 A, 60 V功率MOSFET价格/1片(套):￥6.40...

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发布时间：2021-07-23

NTP13N10G的技术参数

产品型号:NTP13N10G源漏极间雪崩电压VBR(V):100源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):165最大漏极电流Id(on)(A):13通道极性:N沟道封装/温度(℃):TO-220/-55 ~150描述:13 A, 100 V功率MOSFET价格/1片(套):￥6.00...

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发布时间：2021-07-23

NTP13N10的技术参数

产品型号:NTP13N10源漏极间雪崩电压VBR(V):100源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):165@10V最大漏极电流Id(on)(A):13通道极性:N沟道封装/温度(℃):TO-220AB/-55~175描述:22A,60V功率MOSFET价格/1片(套):￥5.90...

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发布时间：2021-07-23

NCP1212PG的技术参数

产品型号:NCP1212PG最大工作电压(V):28开关可承受电压(V)/电流(A):(External ref.)控制方式:PWM电流模式开关频率(KHz):200封装/温度(℃):DIP-8/0~125描述:离线AC-AC开关调节器价格/1片(套):￥7.80...

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发布时间：2021-07-23

NTMS4503NR2G的技术参数

产品型号:NTMS4503NR2G源漏极间雪崩电压VBR(V):28源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):7最大漏极电流Id(on)(A):14通道极性:N沟道封装/温度(℃):SOIC-8/-55 ~150描述:28 V, 14 A,功率MOSFET价格/1片(套):￥6.00...

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发布时间：2021-07-23

NTMD6N02R2G的技术参数

产品型号:NTMD6N02R2G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):35最大漏极电流Id(on)(A):6.500通道极性:N沟道封装/温度(℃):SOIC-8/-55 ~150描述:6.0 A, 20v功率MOSFET价格/1片(套):￥3.80...

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发布时间：2021-07-23

NTMD6N03R2G的技术参数

产品型号:NTMD6N03R2G源漏极间雪崩电压VBR(V):30源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):32最大漏极电流Id(on)(A):6通道极性:N沟道封装/温度(℃):SOIC-8/-55 ~150描述:30 V, 6 A,功率MOSFET价格/1片(套):￥4.39...

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发布时间：2021-07-23

NTMD4N03R2G的技术参数

产品型号:NTMD4N03R2G源漏极间雪崩电压VBR(V):30源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):60最大漏极电流Id(on)(A):4通道极性:N封装/温度(℃):SOIC-8/-55~150描述:30V,4A,N沟道双MOSFET价格/1片(套):暂无...

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发布时间：2021-07-23

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