晶体管-EDA365

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igbt主要材料及参数介绍

IGBT是能源变换与传输的核心器件.俗称电力电子装置的[CPU".作为国家战略性新兴产业.在轨道交通.智能电网.航空航天.电动汽车与新能源装备等领域应用极广. 如下图所示为一个N沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构...

电源硬件技术

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发布时间：2020-05-20

igbt模块怎么测量好坏

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor).绝缘栅双极型晶体管.是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件. 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面...

电源硬件技术

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发布时间：2020-05-20

射频MOS功率放大电路模拟器的设计方案分析.射频功率放大器的特性与使用好坏分析

射频MOS功率放大电路模拟器的设计方案分析 1. 引言本文设计的50MHz/250W 功率放大器采用美国APT公司生产的推挽式射频功率MOSFET管ARF448A/B进行设计.APT公司在其生产的射频功率MOSFET的内部结构和封装形式上...

测量仪器

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发布时间：2020-05-19

有效抑制了HBT大信号Kink效应的宽带功率放大器

随着宽带无线通信系统的不断发展.对高灵敏度.大动态范围.高效率的宽带放大器的需求也越来越大.从某种意义上讲.宽带放大器性能的好坏直接决定着微波系统性能的优劣.然而在宽带放大器的设计过程中.砷化镓异质结...

放大器-比较器-模拟开关

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发布时间：2020-05-19

硅制晶体管.半导体的时代即将过去

在未来的几十年里.芯片制造商将不能通过把更小的晶体管集成到一块芯片上.来制造出速度更快的硅制芯片.因为太小的硅制晶体管容易破裂.同时非常昂贵. 人们研究的材料想要超越硅.就需要克服许多挑战.如今....

材料技术

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发布时间：2020-05-16

晶体管进入3-D时代!里程碑事件回顾

2011年5月4日.美国加州圣克拉拉--自从1947年晶体管问世以来.晶体管技术飞速发展.为开发更强大.成本效益更好.能效更高的产品铺平了道路.要想按照摩尔定律的步调不断进步.就必须进行大量创新.近期值得关注的创...

材料技术

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发布时间：2020-05-16

III-V族纳米线材料为新一代芯片赋予光学特性

IBM苏黎世研究实验室(IBM Research of Zurich)开发出一种尺寸极其微小的纳米线.具有一般标准材料所没有的光学特性.从而为开发出基于半导体纳米线的「新一代晶体管」电路研究而铺路. 该研究实验室与挪威科技大学...

材料技术

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发布时间：2020-05-16

Kilopass凭借其革命性的VLT技术改变DRAM产业格局

中国北京-2016年10月11日-半导体嵌入式非易失性存储器(eNVM)知识产权(IP)产品领先提供商Kilopass Technology, Inc.今日宣布:推出其革命性的垂直分层晶闸管(Vertical Layered Thyristor, VLT)技术.进而颠覆全...

存储技术

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发布时间：2020-05-16

安森美半导体推进更快.更智能和更高能效的GaN晶体管

氮化镓(GaN)是一种新兴的半导体工艺技术.提供超越硅的多种优势.被称为第三代半导体材料.用于电源系统的设计如功率因数校正(PFC).软开关DC-DC.各种终端应用如电源适配器.光伏逆变器或太阳能逆变器.服务器及通...

材料技术

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发布时间：2020-05-16

安森美半导体GaN晶体管追求更快.更智能和更高能效

第三代半导体材料--氮化镓(GaN).作为时下新兴的半导体工艺技术.提供超越硅的多种优势.与硅器件相比.GaN在电源转换效率和功率密度上实现了性能的飞跃.广泛应用于功率因数校正(PFC).软开关DC-DC等电源系统设计....

材料技术

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发布时间：2020-05-16

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