栅极-EDA365

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基于IGBT的电磁振荡设计

前言 IGBT是绝缘栅极双极型晶体管.它是一种新型的功率开关器件.电压控制器件,具有输入阻抗高.速度快.热稳定性强.耐压高方面的优点.因此在现实电力电子装置中得到了广泛的应用.在我们的设计中使用的是西门...

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发布时间：2020-06-17

功率模块的过电流保护

O 引言目前.功率模块正朝着集成化.智能化和模块化的方向发展.功率模块为机电一体化设备中弱电与强电的连接提供了理想的接口. 在任何运行状态下.功率模块都需要受到保护.以避免其承受不允许的电流应力....

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发布时间：2020-06-17

功率P-FET控制器LTC4414

LTC4414是一种功率P-EFT控制器.主要用于控制电源的通.断及自动切换.也可用作高端功率开关.该器件主要特点:工作电压范围宽.为3.5-36V,电路简单.外围元器件少,静态电流小.典型值为30μA,能驱动大电流P沟道...

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发布时间：2020-06-12

开关电流电路故障诊断技术的初步研究

开关电流(SI)技术是继开关电容(SC)技术之后出现的又一种新的模拟采样数据信号处理技术.在SC技术中.需要特殊的双层多晶硅工艺.而SI技术则不同.他是一种仅由MOS晶体管和MOS开关构成的采样数据网络.利用MOS晶体管...

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发布时间：2020-06-10

IGBT栅极驱动器FAN8800及其应用

摘要:FAN8800是Fairchild公司生产的IGBT驱动器单片IC.可用于驱动分立和模块式IGBTs.也可用来驱动功率MOSFET.文中介绍了FAN8800的特点.功能以及应用电路. 关键词:IGBT驱动器 OCP与SCP保护 CMOS兼容 FAN8800F...

半导体生产

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发布时间：2020-05-29

Altera采用Intel的14 nm三栅极技术开发下一代高性能FPGA

2013年2月26号.北京--Altera公司和Intel公司今天宣布.双方已经达成协议.未来将采用Intel的14 nm三栅极晶体管技术制造Altera FPGA.这些下一代产品主要面向军事.固网通信.云网络以及计算和存储应用等超高性能系...

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发布时间：2020-05-27

IMEC改进32纳米高K栅极堆叠

比利时研究中心IMEC在VLSL(超大规模集成电路)研讨大会上表示:其使用铪高K电介质和32nm CMOS节点钽金属栅极的平面CMOS.性能都有所改善. 转换器的延误从15ps减少到10ps .同时通过将15个处理步骤减少到9个 .I...

半导体生产

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发布时间：2020-05-26

32nm工艺High-K金属栅极试产成功

IBM公司及其技术同盟厂商.包括特许半导体.飞思卡尔.英飞凌.三星.意法半导体和东芝日前共同宣布.他们在IBM位于美国纽约州East Fishkill的300mm晶圆厂已经成功展示了32nm High-K金属栅极技术晶圆.联盟各厂商客...

半导体生产

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发布时间：2020-05-26

用栅极驱动器集成电路制作的100W数字功率放大

当数字功率放大器的输出功率大于50W之后.就无法只用单片全集成的集成电路来构成放大器.必须采用栅极驱动器集成电路与大功率MOS-FET组合的构成方式.这里介绍一款用通用运算放大器.通用逻辑集成电路.栅极驱动器及...

放大器-比较器-模拟开关

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发布时间：2020-05-25

通俗易懂的解析场效应管

场效应管在mpn中.它的长相和我们常面讲的三极管非常像.所以有不少修朋友好长时间还分不清楚.统一的把这些长相相同的三极管.场效应管.双二极管.还有各种稳压IC统统称作[三个脚的管管".呵呵.如果这样麻...

电源硬件技术

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发布时间：2024-11-22

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第26届高交会元宇宙完美收官，数字化参会体验引爆全场

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