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降低铝电解电容器漏电流的妙法

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发布时间：2020-06-23

降低铝电解电容器漏电流的妙法

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发布时间：2020-06-20

克服嵌入式CPU性能瓶颈

过去几年.采用多线程或多内核CPU的微处理器架构有了长足的发展.现在它们已经成为台式电脑的标准配置.并且在高端嵌入式市场的CPU中也已非常普及.这种发展是想要获得更高性能的处理器设计师推动的结果.但硅片技术...

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发布时间：2020-06-19

近似理想特性的积分电路

电路的功能这种电路可获得与输入电压的时间积分成正比的输出电压.电路进行EO=-(1/R1.C1)∫EIDT的积分运算.如从电路角度来看.它是-6DB/OCT的低通滤波器.FO=1的频率为FO=1/2XR1.C1.积分电路可用作伺服电路的积...

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发布时间：2020-06-19

理解电容器泄露真谛.有助延长低功耗智能设备续航

低功耗物联网设备最关键的因素之一为续航.如何才能使智能设备的续航更加持久?通过分析智能设备电路中电容器的漏电流并选择替代元件以减少泄漏是目前较为可行但是很有技术性的工作.物联网的普及推动了对智能设备的...

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发布时间：2020-06-17

简易锂电池保护IC测试电路的设计

由于锂电池的体积密度.能量密度高.并有高达4.2V的单节电池电压.因此在手机.PDA和数码相机等便携式电子产品中获得了广泛的应用.为了确保使用的安全性.锂电池在应用中必须有相应的电池管理电路来防止电池的过充...

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发布时间：2020-06-17

NEC电子开发出40纳米DRAM混载系统LSI 混载工艺技术

――预计2008年底将可推向市场NEC电子近日完成了两种线宽40纳米的DRAM混载系统LSI工艺技术的开发.使用该工艺可以生产最大可集成256MbitDRAM的系统LSI.40nm工艺技术比新一代45nm半导体配线工艺更加微细.被称为45nm的...

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发布时间：2020-05-23

加入32nm阵营.ARM是否可以安枕无忧?

对大多数人而言.[ARM.特许半导体.IBM及三星联手打造32nm和28nm片上系统"也许只是条新闻.而且是条过于晦涩的新闻.然而这对ARM的意义却非同寻常.在一定程度上弥补了其与英特尔的斗争中这半年来的一块软肋. ...

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发布时间：2020-05-15

NEC在晶体管泄漏电流研究中取得重大进展

NEC和NEC电子日前成功开发出了一种能够使在栅绝缘膜中采用Hf 类high-k材料的晶体管保持长期稳定的工作特性的技术.在+85度的温度环境下能够连续...

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发布时间：2024-11-22

浅谈固态继电器的正确使用

中心议题:固态继电器的特点如何正确使用固态继电器解决方案:充分了解固态继电器与传统继电器的不同要求在关断状态没有泄漏电流的应用最好使用电磁继电器固态继电器象征着无失效工作次数有了数量级的改善固态继电器...

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