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碳化硅
探讨1200 V 碳化硅 MOSFET的稳固性
碳化硅MOSFET是功率转换器效率最大化的最佳解决方案吗? 本文探讨了最近在1200 V.80mΩ碳化硅MOSFET上进行的研究.突出了其短路能力. 碳化硅(SiC)MOSFET具有极高的开关损耗.可最大限度地提高功率转换器的效率. ...
模拟器件
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MOSFET
碳化硅
发布时间:2020-09-04
中欧大咖齐聚深圳.共话第三代半导体发展
最近.由深圳市科学技术协会.坪山区人民政府.第三代半导体产业技术创新战略联盟指导.青铜剑科技.深圳第三代半导体研究院.南方科技大学深港微电子学院主办.深圳基本半导体.深圳中欧创新中心承办的第三届[中欧...
电源应用
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MOSFET
二极管
碳化硅
发布时间:2020-08-14
具有快速开关和低VCESAT的1200V碳化硅双极性晶体管
由于能源成本上升和人们积极应对全球变暖.电力电子设备的能源效率已经变得越来越重要.为了提升电力电子设备的能源效率.具有较低功率损耗的功率半导体器件技术是关键所在.在半导体器件中.功率损耗的降低可以改善...
模拟电路设计
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开关
碳化硅
VCESAT
1200V
发布时间:2020-07-01
SiC半导体将腾飞:科锐将在美国建全球最大SiC制造工厂
作为碳化硅(SiC)技术全球领先企业的科锐(Cree, Inc..美国纳斯达克上市代码:CREE).于今日宣布计划在美国东海岸创建碳化硅(SiC)走廊.建造全球最大的碳化硅(SiC)制造工厂.科锐将在美国纽约州Marcy建造一座...
技术百科
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SiC
碳化硅
发布时间:2020-06-15
国家集成电路产业投资基金总裁丁文武一行调研基本半导体
4月9日上午.国家集成电路产业投资基金总裁丁文武一行莅临基本半导体考察调研.下面就随嵌入式小编一起来了解一下相关内容吧. 基本半导体董事长汪之涵博士向丁文武介绍了公司自主研发的碳化硅功率器件产品.包括...
技术百科
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集成电路
碳化硅
基本半导体
功率芯片
发布时间:2020-06-08
全面的LED技术进化史
1907年Henry Joseph Round第一次在一块碳化硅里观察到电致发光现象.由于其发出的黄光太暗.不适合实际应用;更难处在于碳化硅与电致发光不能很好的适应.研究被摒弃了. 二十年代晚期Bernhard Gudden和Robert Wi...
技术百科
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LED
碳化硅
发布时间:2020-06-05
扩增全碳化硅功率模块阵容 协助高功率应用程序
近年SiC由于节能效果卓越.广为汽车或工具机等所采用.并可望有更大功率的产品阵容. 而为了百分百活用SiC产品所具有的独特高速开关性能.在类似功率模块产品等额定电流大的产品方面.尤其需要研发新封装以抑制开关...
半导体生产
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半导体
碳化硅
发布时间:2020-06-03
我国首个碳化硅新型充电桩示范工程正式启动
中国证券网讯 5月18日从科技部获悉.近日.由第三代半导体产业技术创新战略联盟主办.北京华商三优新能源科技有限公司承办的[碳化硅新型充电桩示范工程启动暨技术与应用研讨会"在北京召开. 会上.北京华商三优新...
半导体生产
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充电桩
碳化硅
发布时间:2020-06-03
第三代半导体产业化在即 2025年望实现多领域规模应用
第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长吴玲在半导体发展战略研讨会上表示.2018年是第三代半导体产业化准备的关键期.到2025年.第三代半导体器件将在移动通信.高效电能管理中国产化率占50%,LED通用照明市场占有...
半导体生产
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半导体
碳化硅
发布时间:2020-06-01
LED碳化硅衬底基础概要
碳化硅又称金钢砂或耐火砂.碳化硅是用石英砂.石油焦(或煤焦).木屑(生产绿色碳化硅时需要加食盐)等原料在电阻炉内经高温冶炼而成.碳化硅主要分为黑色碳化硅和绿色碳化硅两种.均为六方晶体.比重为3.20-3.25.显...
技术百科
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LED
碳化硅
发布时间:2020-05-30
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