CMOS-EDA365

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亚微米CMOS电路中VDD-VSSESD保护结构设计一

1 引言ESD(Electric Static Discharge)保护结构的有效设计是CMOS集成电路可靠性设计的重要任务之一.其ESD结构与工艺技术.特征尺寸密切相关.随着IC工艺技术的进一步发展.特征尺寸越来越小.管子的栅氧层厚度越来...

模拟电路设计

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发布时间：2020-07-02

用ADS实现一个2.38 GHz全集成化低噪声放大器

1 引言目前.在高达数GHz的RF频段范围内.广泛使用的是GaAs MESFET LNAs.其优点是能够在功率增益高达20 dB的同时.使噪声系数低至大约1 dB.但随着CMOS电路技术的成熟.近来对RFCMOS电路元件的研究成果越来越多....

模拟电路设计

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发布时间：2020-07-02

CMOS集成电路设计(三):CMOS设计注意事项

(1)使用TTL集成电路注意事项①TTL集成电路的电源电压不能高于+5.5V使用.不能将电源与地颠倒错接.否则将会因为过大电流而造成器件损坏.②电路的各输入端不能直接与高于+5.5V和低于-0.5V的低内阻电源连接.因为低...

模拟电路设计

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发布时间：2020-07-02

CMOS集成电路设计(二):接口电路详解

一.CMOS集成电路驱动其它器件1．CMOS-TTL集成电路的接口由于TTL的低电平输入电流1.6mA.而CMOS的低电平输出电流只有1.5mA.因而一般都得加一个接口电路.这里介绍一种采用单电源的接口电路.在附图1中.门II起接口...

模拟电路设计

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发布时间：2020-07-02

5.6GHz CMOS低噪声放大器设计

0 引言低噪声放大器(LNA)是射频接收机前端的主要部分.它主要有四个特点:首先.它位于接收机的最前端.这就要求它的噪声越小越好.为了抑制后面各级噪声对系统的影响.还要求有一定的增益.但为了不使后面的混频器...

模拟电路设计

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发布时间：2020-07-02

CMOS音频功率放大器的旁路电压控制电路

音频功率放大器被广泛应用于诸如移动电话.MP3.MP4等便携式设备中.而为了使音频功率放大器能正常工作.其内部必须含有旁路电压控制电路.以产生正确的直流偏置电压使电路正常工作.这里在O．5μmCMOS工艺条件下.设...

模拟电路设计

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发布时间：2020-07-02

基于3GHz CMOS低噪声放大器优化设计

1 引言现代无线通信技术不断地朝着低成本.便携式的方向发展.使得基于CMOS工艺的射频集成电路成为近年来的研究热点.在射频接收机的设计中.要想得到良好的总体系统性能.前端电路的优化设计尤为关键.而低噪声放...

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发布时间：2020-07-02

CMOS图像传感器集成A/D转换器技术的研究

1.引言随着半导体制造技术.多媒体技术的迅速发展.图像传感器作为数码相机.摄像头等图像获取设备的核心部件正在成为当前和未来研究的重点.按照类型来分图像传感器主要可以分为CCD型和CMOS型.CCD(Charged Couple...

模拟电路设计

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发布时间：2020-07-02

0．6μm CMOS工艺全差分运算放大器的设计

0 引言运算放大器是数据采样电路中的关键部分.如流水线模数转换器等.在此类设计中.速度和精度是两个重要因素.而这两方面的因素都是由运放的各种性能来决定的.本文设计的带共模反馈的两级高增益运算放大器结构分...

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发布时间：2020-07-02

0．6μm CMOS工艺全差分运算放大器的设计

0 引言运算放大器是数据采样电路中的关键部分.如流水线模数转换器等.在此类设计中.速度和精度是两个重要因素.而这两方面的因素都是由运放的各种性能来决定的.本文设计的带共模反馈的两级高增益运算放大器结构分...

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